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51.
非参数回归函数估计的渐近正态性   总被引:6,自引:0,他引:6  
胡舒合 《数学学报》2002,45(3):433-442
本文研究了独立或相依样本时非参数回归函数的Nadaraya-Watson估计,在简洁合理的条件下,证明了估计量的渐近正态性.获得的结论可在时间序列分析中得到应用.  相似文献   
52.
利用最大值原理结合上、下解的方法,讨论了一类具有扩散的竞争-捕食的Lotka-Volterra系统静态解的存在性与持续生存。  相似文献   
53.
 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。  相似文献   
54.
This paper reports that 60Co γ-ray irradiation can convert cis-polyphenylacetylene (cis-PPA) films prepared with rare-earth coordination catalysts to highly photosensitive materials. The dependence of the photosensitivity on irradiation dose, preparation methods, and microstructure of the PPA films has been investigated by means of a potential discharge technique. The photosensitivity was enhanced with increasing irradiation dose. The critical dose to produce a light response was 5 × 103 Gy. The maximum surface potential discharge rate was 618 V/s, and the dark decay was approximately 2 V/s for cis-PPA films irradiated with 60Co γ-ray (dose: 2 × 105 Gy). The cis-transoidal-PPA and an electrophotographic photoreceptor device incorporating cis-PPA showed a higher irradiation effect. The structure and properties of 60Co γ-ray irradiated rare-earth PPA films are similar to the unirradiated films.  相似文献   
55.
A graph G is N2locally connected if for every vertex ν in G, the edges not incident with ν but having at least one end adjacent to ν in G induce a connected graph. In 1990, Ryjá?ek conjectured that every 3‐connected N2‐locally connected claw‐free graph is Hamiltonian. This conjecture is proved in this note. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Graph Theory 48: 142–146, 2005  相似文献   
56.
线性泛函方程解的振动性的新结果   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究高阶泛函方程x(g(t))=P(t)x(t)+Q1(t)x(g2(t))+…+Qk(t)x(gk+1(t))解的振动性,得到了一些新的振动条件.改进和推广了已有结果.  相似文献   
57.
用二次阳极氧化法制备纳米多孔氧化铝板,然后用磁控溅射方式在纳米多孔氧化铝板表面镀金得到介孔网络电路,对该介孔网络电路进行输运测量,发现其具有非线性电阻.  相似文献   
58.
浮栅ROM器件辐射效应机理分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理,合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词: FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">60Co γ 总剂量效应  相似文献   
59.
室温下,通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3),经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质,并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。  相似文献   
60.
In this paper we present a method to solve numerically elliptic problems with multi-scale data using multiple levels of not necessarily nested grids. The method consists in calculating successive corrections to the solution in patches whose discretizations are not necessarily conforming. It resembles the FAC method (see Math. Comp. 46 (174) (1986) 439–456) and its convergence is obtained by a domain decomposition technique (see Math. Comp. 57 (195) (1991) 1–21). However it is of much more flexible use in comparison to the latter. To cite this article: R. Glowinski et al., C. R. Acad. Sci. Paris, Ser. I 337 (2003).  相似文献   
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