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981.
采用密度泛函(DFT)方法B3P86在6 311++G(d,p)基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极 场(-0.04~0.04a.u.)作用下,二甲基硅酮的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量.在优化构型下 用同样的基组采用杂化CIS DFT方法(CIS B3P86)研究了同样外电场条件下对二甲基硅酮的激发能和振子强度 的影响.计算结果表明,分子几何构型与电场大小和方向呈现强烈的依赖,正向电场下基态偶极矩随电场强度线 性增加,分子总能量降低,当反向电场大于0.03a.u.时,偶极距方向改变,总能量增加;激发能随电场增加急剧减 小,且对电场方向的依赖呈现出不对称性,满足Grozema关系.电场对振子强度的影响比较复杂,但仍满足跃迁选 择定则.  相似文献   
982.
The combination of π‐stacked with π‐conjugated building blocks offers an essential strategy to construct multifunctional organic semiconductors (MOSs) with the unique optoelectrical properties. Covalent hybrids can efficiently avoid the intrinsic phase‐separation defects in corresponding blend system. In this contribution, poly(vinylcarbazole) tethered with terfluorene, PVK‐TF, as a double‐channeled π‐stacked and π‐conjugated hybrid (SCH), has been constructed via Friedal‐Crafts click postmodification (FCCP). The chemical structure and optoelectrical property were determined by GPC, UV–vis, PL, TGA, DSC, and CV. Its PL spectra in the annealing thin film at N2 atmosphere without low‐energy emission bands centered at the 530 nm indicates that no π‐stacks between carbazole and TF or among TFs dominate the whole condensed phase, which is in agreement with the intrachain T‐shaped π‐pitched motifs in molecular modeling simulation due to steric hindrance effect in complicated diarylfluorenes (CDAFs). A supporting prototype stable deep‐blue PLED was successfully obtained with an Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of (0.20, 0.10) and a width at half maximum (FWHM) of about 60 nm at high current density of 100 mA/cm2 (35 V). Deep‐blue PVK‐TF is a promising MOS for hole‐transporting and host materials. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 47: 5221–5229, 2009  相似文献   
983.
This paper is concerned with the stability of a preemptive priority queueing system with customer transfers. Conditions for the queueing system to be stable/unstable are found. An interesting result is that the stability/instability conditions are independent of the service rates of lower priority customers and the transfer rates.  相似文献   
984.
985.
986.
Passive mode-locking of a diode pumped Yb-doped GdVO4 crystal laser was demonstrated for the first time to our knowledge. The laser was mode-locked at the wavelength of 1019.1 nm and had an average output power of 1.01 W. The mode-locked pulse duration was 3.1 ps. The laser was end-pumped by a high-power fiber pigtailed laser diode bar and the mode-locking was enabled by a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM).  相似文献   
987.
磁光图像显示Bi-2223/Ag带材中单根超导芯的宽面两侧边缘分布有较大的超导电流密度,Bi-2223单根超导芯的横截面是纺锤形的,单位宽度上的横截面面积之比与电流密度在横截面上不同部分的分布之比相当,高的电流密度在单根超导芯两则的分布可能是由单芯横截面的形状引起的。  相似文献   
988.
989.
The pathwise uniqueness of stochastic evolution equations driven by Q-Wiener processes is mainly investigated in this article. We focus on the case that the modulus of the continuity of the coefficients is not controlled by a linear function. Additionally, we show that the corresponding diffusion process is Feller.  相似文献   
990.
陈存礼  郭玲 《物理学报》1989,38(8):1379-1383
用一个W-Si混合靶源, 以直流磁控溅射在SiO_2_ 上共溅射一层W-Si薄膜后, 进行500-1000℃ , 15s 的真空快速热退火, 发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值. 用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象. 在直至1 1 0 0 ℃ 高温退火的样品中发现薄膜中存在W_5_Si_3_.它对薄层电阻有一定的贡献. 关键词:  相似文献   
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