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161.
162.
The dependence of the energy characteristics on an adiabatically slowly increasing external force is determined analytically for an anharmonic oscillator. The analytical results are confirmed by a numerical calculation. The nature of the force dependences of the energy characteristics are determined and discussed. Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 39, 153–157 (January 1997)  相似文献   
163.
The temperature peak of the resistance and the giant magnetoresistance of degenerate ferromagnetic semiconductors with an arbitrary degree of electron spin polarization are investigated. The spin-wave and paramagnetic domains are considered. The calculations are based on the notion of the magnetic-impurity scattering of carriers. Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 39, 1589–1593 (September 1997)  相似文献   
164.
The results of investigating the temperature dependence of the resistivity, the differential magnetic susceptibility, and the magnetoresistance of a partially substituted perovskite Sm1−x SrxMnO3 (x=0.16–0.4) are presented. Colossal intrinsic magnetoresistance, reaching 90% in an external magnetic field of 30 kOe, is discovered in the compound with x=0.30 at 77 K. Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 39, 1831–1832 (October 1997)  相似文献   
165.
166.
167.
A Lieb-Thirring-Sobolev type inequality for Pauli Hamiltonians with magnetic fields is derived. The bound is in terms of an effective field, whose energy is comparable to that of the magnetic field itself. An application to the stability of matter in magnetic fields is given. Received: 19 September 1996 / Accepted: 3 January 1997  相似文献   
168.
No analytic solutions of the Schrödinger equation are known for the quartic anharmonic oscillator. We show in this paper that there are closely related modified quartic oscillators with the potential depending on |x| for which analytic solutions for some states exist. These results can be extended to the higher order oscillators  相似文献   
169.
170.
The residual polarization of negative muons in crystal silicon samples with phosphorus (P: 1.6×1013 cm−3) and antimony (Sb: 2×1018 cm−3) impurities is investigated. The measurements are made in a 1000 G magnetic field oriented in a direction transverse to the muon spin in the temperature range 4–300 K. The relaxation rate and shift of the precession frequency in the silicon sample with the phosphorus impurity are measured more accurately than previously. It is found that in antimony-doped silicon the acceptor center μ A1 at temperatures below 30 K can be in both ionized and neutral states. The experimental data are interpreted on the basis of spin-lattice relaxation of the magnetic moment of an acceptor center, formation of acceptor-donor pairs, and recombination of charge carriers at the acceptor. Preliminary measurements showed a nonzero residual polarization of negative muons in germanium. Pis’ma Zh. éksp. Teor. Fiz. 68, No. 1, 61–66 (10 July 1998)  相似文献   
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