Cd1-xZnxTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响

采用传统Bridgman方法和加入accelerated crucible rotation technique的Bridgman(缩写为ACRT-B)方法生长的Cd_1-xZn_xTe(x=0.04)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷.为了减少甚至消除这些缺陷,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火.从Cd-Te和Cd_0.96Zn_0.04Te的PT相图出发,详细讨论了CdZnTe晶体的气固平衡条件,并 关键词： 1-xZn_xTe')" href="#">Cd_1-xZn_xTe 退火 气-固平衡     

SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能

3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高.     

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。     

双原子分子在强红外激光场中的多光子解离理论

研究双原子分子的红外多光子解离，外场与分子的相互作用采用偶极近似，由Ｃｌｏｓｅ-Ｃｏｕｐｌｉｎｇ方法，可将体系的Ｓｃｈｒ?ｄｉｎｇｅｒ方程转化为一个矩阵方程，其中的系数矩阵具有时间周期性．因此，能够应用Ｆｌｏｑｕｅｔ理论非常有效地减少计算工作量而得到方程的解．为了给出数字结果，详细计算了ＨＦ分子的多光子解离，所用红外激光场的强度为１.２５×１０^１２Ｗ／ｃｍ^２． 关键词：     

用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷

研究发展了用肖特基电容电压特性数值模拟确定调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结中极化电荷的方法.在调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上制备了Pt肖特基接触,并对其进行了C-V测量.采用三维费米模型对调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上肖特基接触的C-V特性进行了数值模拟,分析了改变样品参数对C-V特性的影响.利用改变极化电荷、n-AlGaN 关键词： xGa_1-xN/GaN异质结')" href="#">Al_xGa_1-xN/GaN异质结 极化电荷 电容电压特性 数值模拟     

EAST超导托卡马克装置中的大型超导磁体技术

随着大型超导核聚变装置、超导储能装置、超导强磁场装置及高能超导加速器技术参数的不断提高,大型超导磁体的应用也在加速发展中.大型超导磁体的场强较高、储能较大,对导体的结构、磁体结构、绝缘结构、制造工艺等要求与通常小型超导磁体有很大的不同.本文旨在对国家重大科学工程项目"EAST(HT-7U)超导托卡马克核聚变实验装置"的大型超导磁体关键技术作一介绍.     

以光散射技术研究啶虫脒的测定及其与DNA的相互作用

研究了啶虫脒与脱氧核糖核酸(DNA)之间的共振光散射(RLS)增强作用。加入啶虫脒导致DNA的共振光散射增强,在316.0 nm处,存在一处共振光散射增强峰。由此建立了一种以DNA为探针检测农药啶虫脒的新方法。体系的最佳条件为,实验选择了pH 1.73为适宜酸度;加入10 μg·mL-1浓度的DNA溶液的体积为 2 mL;在室温条件下,体系的反应需要30 min达到稳定;“啶虫脒-DNA-H₂SO₄”的加药顺序为最佳。该方法适用的线性范围为0～2.25 μg·mL-1,检出限为0.2 μg·mL-1,啶虫脒在河水样品中的回收率为98.0%～102.0%,并探讨了DNA与啶虫脒的相互作用机理：啶虫脒与核酸间的相互作用包含有静电引力,啶虫脒的吡啶基与DNA碱基之间的π—π堆积作用。     

全国科技人员流动情况抽样调查的设计与分析

为了对近年来我国科技人员流动趋势及其效果进行定量分析,由原国家科委科技干部局主持,从1987年6月开始,对全国科学研究开发机构(研究所)、高等院校及大中企业中的科技人员,在1984年1月1日至1987年5月31日期间的流动情况进行了抽样调查.调查内容包括各单位流动人数(分年度及总数)、流向、流动原因及其流动人员的组成结构等基本情况.受主持单位委托,我们承担了此项调查的抽样设计,实施了抽样,并按调查目标量的类型提出了与抽样方案相配套的数据处理公式,包括对各层及总体目标量的估计以及这些估计量的精度.调查结果的报告见[1],其中主要内容已见报(见《光明日报》1987年12月28日第一版).     

LaF3:Nd3+的斯塔克子能级能量值的计算

用C₂格位对称的晶体场哈密顿量对LaF₃:Nd³⁺进行全谱项能量值的拟合计算,单次计算的均方根误差σ约为20.2cm^-1。同时,本文更正了以前对少数子能级的不正确归属。 关键词：     

脉冲激光辐照p型硅单晶向n型转化

本文研究了p型硅单晶用红宝石脉冲激光辐照之后向n型转化的效应。这个效应与补偿杂质有关。实验结果表明:脉冲激光辐照之后补偿杂质浓度增加,补偿杂质磷分布发生变化,杂质补偿度大于7％的样品在被激光辐照的区域较容易转变为n型导电。这个效应与硅单晶中氧含量、晶面和晶体生长方式无关。 关键词：