关于可列非齐次马氏泛函的一类强偏差定理

本文利用关于{σn(ω),n≥0)的样本相对熵率的概念,研究相依离散型随机变量序列函数的极限性质,从而建立了一类关于可列非齐次马氏泛函的强偏差定理.     

电子型高温超导体/铁电体/巨磁阻材料异质结的生长及其电输运性质的研究

本文中采用脉冲激光沉积的方法原位制备了结构完整的La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)三层膜,并在此基础上制得了类似P-I-N型的全钙钛矿结构材料异质结.在不同的温度区间对其电输运性质进行了测量.测量结果表明随着充当绝缘层的Ba0.7Sr0.3TiO3的厚度的变化,异质结的电输运机制也在变化.当其厚度到达25纳米时,整个结在低温区呈现良好的整流特性.     

计算机制全息图的二值化噪声及取样影响

对用于超大规模集成电路光学互连的计算机制全息图(CGH)的量化噪声及取样影响进行了分析.CGH透过率函数的二值化将带来一些噪声,但仍可得到高的信噪比.在光学互连CGH的结构是菲涅耳波带片的条件下,对Nyquist和Whittaker-Shannon两种取样方法进行了分析和比较.结果表明,在小偏转角和高取样频率条件下,用Whittaker-Shannon取样方法得到的衍射效率比用Nyquist取样方法所得到的衍射效率大.     

球对称激光等离子体中由TE波引起的自生磁场

本文讨论了球对称激光等离子体中的自生磁场,导出了由TE波引起的自生磁场的表示式。这个解与平面等离子体中S偏振波的结果作了对比。按照我们的理论结果,可以解释近来实验上所观察到的自生磁场的行为。 关键词：     

低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究

低能离子束与表面相互作用主要呈现溅射、注入等现象。本文研究了在1.35keVN₂⁺离子注入形成氮化硅的特性,并研究了注入和溅射的并存过程。在高剂量、低能(<10keV)注入的情况下,提出了有效剂量的概念,并建立了刻蚀速率、射程与有效注入剂量的关系。还用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、背散射分析(RBS)测定了薄膜的有关特性。 关键词：     

分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器中高温陷阱的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_Al =0.2→0.43和x_Al=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在x_Al=0.43的n-AlGaAs层里x_Al值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。 关键词：     

导电栅网对相对论速调管中电子束的约束作用

介绍利用导电栅网约束相对论速调管(RKA)中强流电子束的理论分析及实验结果.用近似的空间电荷场分布分析导电栅网约束实心电子束稳定传输时的电子运动情况，讨论束流稳定传输的条件；并介绍在一台直线感应加速器上利用导电栅网约束未调制强流束(约400kV，2.5kA)长距离(约60cm)传输的实验结果，同时给出利用导电栅网约束RKA中调制电子束的实验结果.理论分析及实验研究表明，导电栅网对实心束的约束作用对电子束能量相对不敏感；导电栅网可有效地用于RKA中取代磁场系统约束强流相对论电子束.     

简单自反MTS(υ,λ)的存在谱

一个Mendelsohn三元系MTS(υ,λ)=(X,B)被称作是自反的,如果它与它的逆(X,B-1)是同构的,其中B-1=｛〈z,y,x〉;〈x,y,z〉∈B.在[2]中已给出了简单自反MTS((υ,1)的存在谱,即υ≡0,1(mod3),υ3且υ≠6.本文讨论一般λ的情况,并得到简单自反MTS(υ,λ)的存在谱是λυ(υ-1)≡0(mod3);λυ-2,υ3且(υ,λ)≠(6,1);(6,3).     

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10¹⁵-10¹⁷cm^-3和俘获截面(10^-16cm²)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧     

Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响

利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。