Ag/InP Schottky结热退化机理的研究

Ag/InP Schottky结是制作TE场助光电阴极的关键,本文利用Auger分析技术,详细地研究了热处理对Ag/InPSchottky结界面特性的影响。实验结果表明高温长时间热处理会导致严重界面相互扩散,同时使Schottky结的势垒高度降低,理想因子增大,泡利负电性理论很好地解释了扩散效应。势垒高度的降低及理想因子的增大也是由界面互扩散造成的,这种扩散导致界面特性由Schotthy特性向欧姆性质转化。为防止界面互扩散及Schottky结特性的退化,可选用负电性小的金属制作Schottky结,并在工艺上尽量减少热处理的温度和时间。     

高Jc Tl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ_c＝１．５×１０^４Ａ·ｃｍ^-2，７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈ∥ａｂ面）和磁场垂直于带面（Ｈ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ_0∥＝０．２１ H^-0.3(eV),Ｕ_0⊥＝０．１5 H^-0.4(eV)，其中Ｈ的单位为ｋＧ。 关键词：     

人血清中几种元素的ICP－AES法测定

本文研究了应用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定人血清中Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｋ、Ｐ六种元素的方法。将经前处理好的人血清中加入适当的硝酸－过氧化氢混合消解液，在消解罐中经高温、高压下，使其有效地消除血清复杂基体的干扰。选用美国ＩＣＡ９０００（Ｎ＋Ｍ）型仪器的工作条件。以国家标准物质研究中心的贮备液作标准。并采用日本人血清标准和我国ＧＢＷ０９１３１牛血清标准校准仪器。     

氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分 关键词：     

用于留数算术中的数值／留数／数值的转换

介绍用光学方法完成留数算术中的数值/留数/数值的转换,并附有实验结果。     

多电子束契伦柯夫自由电子激光振荡器

我们对多电子束契伦柯夫自由电子激光进行了首次实验研究。280A,500kV的电子束被引入一多介质矩形谐振腔,在频率为33.4GHz处产生了1.7MW的契伦柯夫相干受激辐射。互作用效率为1.2％。     

KNSBN掺Cu晶体高反射率自泵浦位相共轭反射镜

利用KNSBN掺Cu晶体实现了自泵浦位相共轭;掺Cu量0.04wt％的晶体自泵浦位相共轭反射率高达65％;测量了自泵浦位相共轭反射率,响应时间和氩离子激光波长的关系。     

KTP晶体中一种特殊缺陷的研究

研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。 关键词：     

空间过滤简正波的模拟实验研究

在侧壁无消声的波浪槽（70×2×0.6m³）内,利用9根有水平指向性的长圆管换能器作阵元,实现了前四号简正波的空间过滤,定性地研究了简正波过滤阵抑制近场点源干扰的理论概念,并对起伏波浪表面对各号简正波振幅起伏的影响作了初步观察。     

含吡啶(噻唑)甲基的哌嗪类化合物的合成及生物活性

采用活性基团拼接原理, 分别以2-氯-5-氯甲基吡啶和2-氯-5-氯甲基噻唑为原料, 经过氮烷基化和加成反应, 得到系列含吡啶甲基或噻唑甲基的哌嗪类化合物. 初步测试结果表明: 部分化合物表现出较弱的除草活性和杀豆蚜活性, 但对孑孓显示出较高的的杀灭活性, 其中4f在50 mg/L的浓度下对孑孓的杀死率可达100%.