非等间距高频波导线阵列指向性研究

研究了非等间距高频波导组成的线阵列的远场垂直指向性。提出了更符合实际应用的高频波导线阵列非等间距排列模型。通过分析同相点声源阵列的指向性,结合扬声器线阵列乘积理论得到了计算所提出模型远场垂直指向性的方法,对模型进行了有限元仿真,并实验验证了理论计算值的准确性,最后分析了高频波导线阵列非等间距排列对指向性的影响。结果表明:该方法简单有效。在有效辐射率相等的情况下,非等间距高频波导线阵列与等间距线阵列的远场指向性主瓣差异很小。     

液晶光阀的偏光显示特性分析

讨论了液晶光阀的偏光扭曲向列性效应, 分析了液晶光阀中液晶分子在交流电场作用下重新取向后的扭曲, 测量了TB3639型液晶光阀在特定的频率连续改变外加交流电压条件下,液晶分子重新取向后的扭曲角度以及液晶光阀的电光特性。测量结果表明,在外加电压连续改变时,入射线偏振光的透射率呈现连续非线性变化,这种非线性变化可以由液晶分子的扭曲量来改变。同时液晶分子180°的扭曲使得液晶光阀具有较陡的电光特性曲线,这对于多通道矩阵寻址方式的液晶光阀而言在矩阵显示中可有更多的通道寻址线和更高的对比度。     

图像平场校正方法的扩展应用研究

对于图像阵列探测器而言,由于各像元响应的不一致使得所获图像中各像元灰度存在差异（响应的非均性现象）,而图像的平场校正可以非常有效地消除图像中各像元响应的不一致性.如果将图像背景或光路中影响成像的一些因素在一定程度上看作是图像探测器的响应,认为它是响应非均匀的组成部分,根据平场校正的原理对其进行处理,则可以获得较好的效果.     

Resonances in Positron-He Scattering

We present the results for resonances in positron-He scattering at low impact energy （19.3-24.0eV） by using the momentum space coupled-channel optical （CCO） method. The S-partial wave resonance at 20.16 eV is found for the first time.     

利用偏振度研究混合目标的混合比

提出一种利用偏振度研究混合目标混合比的新方法。通过建立混合目标模型将混合目标散射光的偏振度与混合目标的混合比建立直接的关系,在理论上得到了混合目标混合比分别与混合目标偏振度和归一化偏振度之间的数值关系,并且进一步给出了混合目标混合比由归一化偏振度的反演结果,为研究混合目标提供了新的思路与方法,对偏振度探测混合目标的实验以及工程应用都有重要的理论意义。     

近红外光谱分析技术

介绍了近红外光谱分析技术的工作原理,阐述了其数学模型的建立及分析过程,总结了现有常用的化学计量学方法及各自的优点,最后简单的概括了近红外光谱分析技术的应用,尤其是在制药方面的应用.     

ZnO晶体的偏振拉曼散射的深入研究

利用拉曼选择定则,设计了ZnO单晶的直角偏振几何配置。在室温下测量了ZnO单晶的各种振动模式的偏振拉曼散射光谱。与原先的文献相比较,初步讨论了各种振动模式的线宽和强度的变化原因。除ZnO晶体中包括非极性和极性拉曼基频振动,准横光学和准纵光学模式和振动属性被指认外,它们的高阶拉曼散射模式首先被确定。本研究结果为深入了解ZnO晶体和薄膜的宏观性质和微观结构提供了依据。     

蛋白质芳香基团的~1H-~(13)C HSQC信号增强研究(英文)

含芳香环的氨基酸残基多处于蛋白质的疏水内核或者是蛋白质与配体的结合部位,这些残基间的非共价键相互作用对于蛋白质结构的稳定性和生物的特异性识别有重要意义.因此,在蛋白质的核磁共振研究中,芳香基团被认为是一个研究蛋白质结构动力学的潜在探针.但是由于芳香基团的1H-13C HSQC谱的灵敏度较低,目前,利用核磁共振对其进行研究乏善可陈.造成这一现象的主要原因可能在于芳香环体积较大,往往存在慢的翻转运动,导致其NMR信号被展宽.作者利用CPMG-INEPT HSQC序列可以有效地减小慢运动影响的特征,将其应用到了GB1蛋白质芳香环的1H-13C HSQC谱中,有效的增强了芳香基团HSQC谱信号的灵敏度,得到了部分在常规HSQC中无法观测的信号.     

太阳能电池基本特性测定实验 --一个与能源利用有关的综合设计性实验

“太阳能电池基本特性测定”是与能源利用有关的新的综合性设计实验．本文简述了该实验的原理、实验方法及测量结果,得出了太阳能电池基本参数短路电流Iac,开路电压Uoc与太阳能电池接收到的相对光强度J／Jn的近似函数关系。     

MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射

通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。