微量悬浮液进样-火焰原子吸收光谱法测定霜类化妆品中的铅

基于悬浮液技术处理霜类化妆品样品,将样品悬浮在1.00g/L琼脂溶液中制成均匀的悬浮液,采用微量进样技术建立了火焰原子吸收光谱法快速测定霜类化妆品中的铅。方法的检出限为0.030μg/mL,回收率为98.8%—101.5%。方法应用于实际样品的测定,结果满意。     

直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜

通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和光学性质的影响。X射线衍射研究表明:制备的AIN薄膜具有较强的(0002)择优取向,蓝宝石衬底的氮化不仅能够改善AIN结晶质量,而且还可以减少薄膜的残余应力。但是,原子力学显微镜结果表明:在蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布比在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布更加均匀。我们认为,蓝宝石衬底在氮化的过程中形成的AIN具有过多的位错和缺陷,正是这些位错和缺陷造成了在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布的不均匀性。吸收光谱显示:蓝宝石衬底的氮化并没有对AIN薄膜的光学性质产生明显的改善。     

生长温度对Ga掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

在不同衬底温度(室温~750 ℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。结果显示:衬底温度的变化导致衬底表面吸附原子扩散速率和脱附速率的不同,从而导致合成薄膜结晶质量的差异,衬底温度450 ℃时制备的GZO薄膜具有最好的结晶特性;GZO薄膜中载流子浓度随衬底温度升高而单调减小的现象与GZO薄膜中的本征缺陷密切相关,晶界散射强度的变化导致迁移率出现先增大后减小的趋势,衬底温度450 ℃时制备的GZO薄膜具有最小的电阻率~0.02 Ω·cm;随着衬底温度的升高,薄膜载流子浓度的单调减小导致了薄膜光学带隙变窄,所有合成样品的平均可见光透过率均达到85%以上。采用PLD方法制备GZO薄膜,衬底温度的改变可以对薄膜的光电性能起到调制作用。     

黑土腐殖酸的近红外光谱测定

研究了我国黑土腐殖酸碳含量及其光化学性质,并探索了利用近红外光谱分析法(near infrared spectroscopy, NIRS)对其进行预测的潜力。针对东北典型黑土带土壤样品,利用偏最小二乘法(PLSr)建立定量模型,并用独立样本对模型进行检验。结果表明,模型对腐殖酸碳、胡敏酸碳和富里酸碳含量的预测效果很好,NIRS对富里酸碳和胡敏酸碳的465 nm(E₄)和预测结果也较好,665 nm光密度(E₆)的预测达到可接受水平。胡敏酸碳和富里酸碳含量与SOC的相关性,高于其与NIRS模型预测值的相关性,二者光化学性质与SOC的相关性则低于其与模型预测值的相关性。NIRS在简化黑土腐殖酸碳、胡敏酸碳和富里酸碳含量和光密度测定领域具有很好的应用前景,且能够反映SOC性质方面的信息。     

Temperature-dependent photoluminescence of CuInS2 quantum dots

Temperature-dependent photoluminescence (PL) spectroscopy of CuInS₂ core and CuInS₂/ZnS core–shell quantum dots (QDs) was studied for understanding the influence of a ZnS shell on the PL mechanism. The PL quantum yield and lifetime of CuInS₂ core QDs were significantly enhanced after the QD surface was coated with the ZnS shell. The temperature dependences of the PL energy, linewidth, and intensity for the core and core–shell QDs were studied in the temperature range from 92 to 287 K. The temperature-dependent shifts of 98 meV and 35 meV for the PL energies of the QDs were much larger than those of the excitons in their bulk semiconductors. It was surprisingly found that the core and core–shell QDs exhibited a similar temperature dependence of the PL intensity. The PL in the CuInS₂/ZnS core–shell QDs was suggested to originate from recombination of many kinds of defect-related emission centers in the interior of the cores.     

Robust Generation of Three-Particle W State with Atoms Trapped in Separate Cavities

This paper presents a scheme for generating three-particle W state of remote atoms trapped in leaky cavities.The scheme uses cavity decay to inject photons into a setup of optical devices which consist of a series of beam splitters and photon detectors.Photon detection on the output mode projects the atomic state into the W state.In the condition of “weakly driven approach”,it shows that the scheme is robust and has high fidelity.It also points out that the scheme is scalable to generate multi-atomic W state.     

ZnO薄膜近带边紫外发光的研究

用ZnO陶瓷靶,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-Al₂O₃衬底上制备了ZnO薄膜。通过不同温度下光致发光(PL)光谱的测量,对样品的紫外发光机理进行研究。 在较低温度(10 K)下的PL光谱中,观测到一个位于3.354 eV处的束缚激子(D⁰X)发射,随着温度的升高(~50 K),在D⁰X的高能侧观测到了自由激子的发射峰。在10 K温度下,3.309 eV处出现了一个较强的发光带A,此发光带强度随着温度升高先增大然后减小,并且一直延续到室温。重点讨论了此发光带的起源,并认为A带可归属于自由电子-受主之间的复合发射。     

初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长。     

HIRFL-CSRm内靶实验终端CsI(Tl)电磁量能器性能模拟

基于GEANT4模拟了HIRFL CSRm内靶实验终端的CsI(Tl)电磁量能器系统,给出了CsI电磁量能器的最佳设计参数及可能达到的性能.结果表明,设计的CsI(Tl)电磁量能器系统能够满足所研究的物理要求. Based on the GEANT4, the performance of the electromagnetic calorimeter (EMC) of the internal-target detector at HIRFL-CSRm is simulated. The simulation results show that 1.5%—3% of the energy resolution σ_E/E and 2° of the polar angular resolution σ_θ can be obtained. The invariant mass of the π~0 decay can be reconstructed well. The performance can meet the requirement of studying the proposed physics at HIRFL-CSRm.     

轴流压缩机转子叶栅内粒子沉积及对其性能影响的数值研究

计算了一轴流压缩机入口级的三维流场,在此基础上,通过UDF引入作用于旋转坐标系下固体粒子上的附加 力,计算了该入口级动叶内粒子的运动轨迹和叶面上粒子的沉积分布情况,并在此基础上模拟了由于粒子沉积所引起的压 缩机动叶叶栅的性能恶化,为发展气动防沉三维叶片的优化设计提供了研究基础。