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951.
较高的比表面积与稳定性使得二维Ti2C与Ti3C2结构在贵金属催化剂载体、锂离子电池、储氢材料等领域具有重要的应用前景. 研究Ti2C、Ti3C2的表面吸附活性有助于认识其表面特征. 第一性原理计算研究显示:Ti2C与Ti3C2对O、OH、F具有较强的吸附活性. 通过比较Ti2C、Ti3C2、Ti(001)、TiC(001)的表面电子结构, 我们发现Ti2C与Ti3C2较强的表面吸附活性来自于表面Ti 原子未极化的3d轨道. 这使得Ti2C、Ti3C2表面通常覆盖有O、F、OH. 吸附了O、OH基团的Ti2C与Ti3C2结构(Ti2CO2-2x(OH)2x、Ti3C2O2-2x(OH)2x)对Au原子的吸附能随OH比例的增大而增大. 相似文献
952.
953.
954.
研究了一种基于Friedel-Crafts亲电取代的新型缩聚反应,反应基团是氮原子的苯对位氢原子和芴醇上的羟基,氮原子的富电子效应活化了苯对位氢原子的亲电取代能力,同时芴醇(似三苯甲醇结构)是高活性的烷基化试剂,使得小分子亲电取代反应可扩展为高分子缩聚反应.探索了两种缩合途径,"A-A,B-B"型共缩聚和"A-B"型自缩聚.4,4′-双(苯基-对甲苯基氨基)联苯(TPD)与芴醇共缩聚,得到数均分子量为1·5×104~2·0×104的共聚物,而芴醇的自缩聚,可得到单分散、立体环状结构的3聚体. 相似文献
955.
以虹吸式坐便器产品中的虹吸管道为研究对象,应用FLUENT软件对虹吸管道冲水过程中的气液两相流进行了三维数值模拟,研究了不同虹吸管道结构对虹吸性能的影响。通过改变管道结构参数(阻水段倾斜角度和爬坡段长度),分别对管道内流场进行对比分析,并依据数值模拟结果提出了虹吸管道结构优化设计的建议。模拟结果表明,虹吸管道结构直接影响虹吸性能,在管道内流场中,管顶驼峰处会产生明显的负压,影响虹吸起始时间;管道出口处均产生正压,且该处气液两相变化变得剧烈;适当缩短爬坡段长度,有利于延长虹吸持续时间;适当增加阻水段倾斜角度,有利于维持虹吸稳定。 相似文献
956.
在本文中,我们提出了一种新的带扰动项的三项记忆梯度混合投影算法.在这种方法中应用了广义Armijo线搜索,并且仅在梯度函数在包含迭代序列的开凸集上一致连续的条件下证明了该算法的全局收敛性.最后给出了几个数值算例. 相似文献
957.
The scalar and vector running coupling constants are derived using the renormalization group method in the σ-ω model. The numerical values of the two running coupling constants are obtained and the physical meaning of the result is discussed. 相似文献
958.
三个非全同耦合谐振子哈密顿量的退耦合 总被引:15,自引:5,他引:10
对于哈密顿量为H=∑^3i=11/2miP^2i 1/2k1(q2-q1-q0)^2 1/2k2(q3-q2-q0)^2的三个非全同耦合振子,我们打到一个方法使其对角化,给出了体系坐标和动量的变换式。 相似文献
959.
由于超导薄膜的表面阻抗Rs这一参量对超导微波元件的设计和开发有很重要意义,测量超导薄膜的表面阻抗Rs也就非常重要.目前国际上制定了高温超导薄膜在微波波段上表面阻抗Rs电特性的标准测量方案:IEC/TC90.此方案采用介质杆谐振器法测量表面阻抗的原理,使用蓝宝石介质杆和超导膜组成的谐振器法测量超导膜的Rs.本文分析了各个测量量对标准测量方案的测量精度,分析了在12GHz微波频率下,系统的各个实际部件的加工误差.认为频谱曲线的测量误差,即背景误差对最终测量结果Rs的影响是主要的. 相似文献
960.
We prepare 2× (NiFe/CoZnO)/ZnO/(CoZnO/Co)×2 spin valve structures used for spin injection by sputtering and photolithography. In the junctions, the free magnetic layer 2× (NiFe/CoZnO) and the fixed magnetic layer (CoZnO/Co) × 2 are used to realize the spin valve functions in the external switch magnetic field. Since the wide gap semiconductor ZnO layer is located between the two magnetic semiconductor layers CoZnO, the electrical ,spin injection from the magnetic semiconductor CoZnO into the non-magnetic semiconductor ZnO is realized. Based on the measured magnetoresistance and the Schmidt model, the spin polarization ratio in the ZnO semiconductor is deduced to be 11.7% at 90K and 7.0% at room temperature, respectively. 相似文献