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991.
光学玻璃加工破坏层研究及粗磨、精磨、抛光工序加工余量的合理匹配 总被引:4,自引:1,他引:4
本文通过用五种散粒磨料(碳化硅)、五种固着磨料(金刚石)对八大类常用光学玻璃进行加工,用扫瞄电子显微镜观察其表面形貌,用抛测法测出其破坏层深度,得出一系列破坏层的深度数值,从而找出破坏层与磨料之问的函数关系。以破坏层的绝对深度为依据,得出光学加工中精磨、抛光工序的加工余量的合理匹配值。 相似文献
992.
In this paper, we study the normality of families of meromorphic functions. We prove the result: Let α(z) be a holomorphic function and \({\mathcal{F}}\) a family of meromorphic functions in a domain D, P(z) be a polynomial of degree at least 3. If P ○ f(z) and P ○ g(z) share α(z) IM for each pair \({f(z),g(z)\in \mathcal{F}}\) and one of the following conditions holds: (1) P(z) ? α(z 0) has at least three distinct zeros for any \({z_{0}\in D}\); (2) There exists \({z_{0}\in D}\) such that P(z) ? α(z 0) has at most two distinct zeros and α(z) is nonconstant. Assume that β 0 is a zero of P(z) ? α(z 0) with multiplicity p and that the multiplicities l and k of zeros of f(z) ? β 0 and α(z) ? α(z 0) at z 0, respectively, satisfy k ≠ lp, for all \({f(z)\in\mathcal{F}}\). Then \({\mathcal{F}}\) is normal in D. In particular, the result is a kind of generalization of the famous Montel criterion. 相似文献
993.
Analysis and modeling of resistive switching mechanisms oriented to resistive random-access memory 下载免费PDF全文
With the progress of the semiconductor industry,the resistive random-access memory(RAM) has drawn increasing attention.The discovery of the memristor has brought much attention to this study.Research has focused on the resistive switching characteristics of different materials and the analysis of resistive switching mechanisms.We discuss the resistive switching mechanisms of different materials in this paper and analyze the differences of those mechanisms from the view point of circuitry to establish their respective circuit models.Finally,simulations are presented.We give the prospect of using different materials in resistive RAM on account of their resistive switching mechanisms,which are applied to explain their resistive switchings. 相似文献
994.
在强流相对论电子束驱动的相对论速调管放大器中, 由于强流和高场强的影响, 尤其是中间腔具有高Q值, 微波腔与电子束之间的非线性作用很明显, 严重影响器件性能. 根据麦克斯韦方程组以及电子在微波场作用下运动方程给出了中间腔的束-波互作用自洽方程. 从这些方程出发, 研究了调制深度和调制频率对间隙电压幅度和相位的影响. 对比常规速调管的等效电路模型, 自洽公式给出的间隙电压幅值同粒子模拟结果更接近, 尤其是较高调制深度的情况. 同时器件带宽随调制深度的增加而变宽, 这也同粒子模拟结果一致. 由此设计了一个S波段高增益相对论放大器, 在LTD (长脉冲螺旋线)加速器上开展了相应的实验工作, 实验上获得了1.1 GW的输出功率, 器件增益49 dB.
关键词:
相对论速调管
非线性互作用
自洽方程 相似文献
995.
Phase behaviors in a binary mixture of diblock copolymers confined between two parallel walls 下载免费PDF全文
The phase behaviors in a binary mixture of diblock copolymers confined between two parallel walls are investigated by using a cell dynamics simulation of the time-dependent Ginzburg-Landau theory.The morphological dependence of the wall-block interaction and the distance between walls(confinement degree) has been systematically studied,and the effect of repulsive interactions between different monomers is also discussed.It is interesting that multiple novel morphological transitions are observed by changing these factors,and various multilayered sandwich structures are formed in the mixture.Furthermore,the parametric dependence and physical reasons for the microdomain growth and orientational order transitions are discussed.From the simulation,we find that much richer morphologies can form in a binary mixture of diblock copolymers than those in a pure diblock copolymer.Our results provide an insight into the phase behaviors under parallel wall confinement and may provide guidance for experimentalists.This model system can also give a simple way to realize orientational order transition in soft materials through confinement. 相似文献
996.
采用无模板化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂,二甲苯为碳源,利用单温炉加热装置制备了定向碳纳米管阵列。运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪等对定向碳纳米管阵列的形貌、成分和物相进行细致的分析和表征。结果表明:制得的碳纳米管阵列具有良好的定向性和多壁管状结构,并且石墨化程度高;碳纳米管中除碳元素外,管中包含有少量以纳米颗粒和纳米线形式存在的铁及其化合物,主要成分是铁和碳化铁。结合碳纳米管的制备和透射电子显微镜分析表征结果,认为超长碳纳米管阵列的生长模式为底部生长方式,即经历催化剂分解、催化、成核、长大、中毒、凝聚成粒和连接成线的循环过程,正是由于碳源和催化剂的连续供应促成了碳纳米管阵列的快速定向生长。 相似文献
997.
基于水下目标探测的应用需求,研制开发了一套激光水下距离选通成像系统。系统采用波长532 nm、最大单脉冲能量400 mJ的Nd:YAG脉冲激光器作为照明光源,采用最小选通门宽3 ns、像元10241024的ICCD相机作为门选通器件和图像记录器件,利用DG535型数字脉冲发生器作为精确延时和同步控制器件实现激光脉冲和ICCD相机选通门的同步以实现距离选通功能。利用该系统在某水库进行了水下目标探测实验,实验结果表明,该系统可在6.5倍的衰减长度上识别目标,在8倍衰减长度上发现目标。 相似文献
998.
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.991015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350 V范围内研究了该探测器对3.5 MeV 粒子电荷收集效率,在0 V时为48.7%,在150 V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。 相似文献
999.
A series of indole-based fluorescent chemosensors 1–4 were prepared and investigated characteristick features with transition metal ions. Sensors 1 and 2 were selective for Hg2+ ion among a series of metal ions in H2O–DMSO with association constants of 4.60×104 and 5.90×104?M?1 and detection limits of 140 and 101.6 μM, respectively. Figure
Indole-Based Fluorescent Sensors for Selective Detection of Hg2+. 相似文献
1000.