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991.
A technique for variation of the temperature factor of free-flight models by varying their initial temperature is described. An experiment on a ballistic range is carried out with a free-flying supersonic blunt cone with a half-angle of 15° at a Mach number of 2.3. The flow at the cone base is studied in the transition range (from the laminar to turbulent flow) of Reynolds numbers. The base flow pattern is determined from the shadowgraphs of the flow about the models. The drag coefficient of the blunt cone at a zero angle of attack is found by processing trajectory data. It is found that the near wake geometries and the drag coefficients of the models tested at the laboratory temperature and a temperature of 120 K differ. Explanations of this effect are given.  相似文献   
992.
The adsorption of nonionic surfactant Triton X-100 on quartz sand and methylated quartz sand from water and toluene was investigated by means of spectrophotometry, the radiotracer technique, and wetting angle measurements.  相似文献   
993.
Treatment of internal acetylenes and allenes with BuMgHlg (Hlg = Cl, Br) in the presence of Cp2ZrCl2 selectively leads to the formation of substituted magnesacyclopenta-2,4-dienes and alkylidenemagnesacyclopentenes.  相似文献   
994.
995.
996.
Influence of the process conditions on the production of “STAM” copolymer from waste products formed at join producing of styrene and propylene oxide, the acetophenone bottom residue at styrene rectification, with maleic acid. Effects of temperature, copolymerization process duration, weight ratio of acetophenone bottom residue to maleic acid and styrene content in the bottom residue are studied.  相似文献   
997.
998.
999.
Diffuse x-ray scattering (DXS) is used to study the formation of microdefects (MDs) in heat-treated dislocation-free large-diameter silicon wafers with vacancies. The DXS method is shown to be efficient for investigating MDs in silicon single crystals. Specific defects, such as impurity clouds, are found to form in the silicon wafers during low-temperature annealing at 450°C. These defects are oxygen-rich regions in the solid solution with diffuse coherent interfaces. In the following stages of decomposition of the supersaturated solid solution, oxide precipitates form inside these regions and the impurity clouds disappear. As a result of the decomposition of the supersaturated solid solution of oxygen, interstitial MDs form in the silicon wafers during multistep heat treatment. These MDs lie in the {110} planes and have nonspherical displacement fields. The volume density and size of MDs forming in the silicon wafers at various stages of the decomposition are determined.  相似文献   
1000.
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