Experimental results on proton diffractive dissociation

Properties of proton diffractive dissociation have been investigated for four-prong final states in proton-proton reactions at 360 GeV/c, in particular forpp→ppπ ⁺π^? mπ ⁰(m=0,1,2). Mass distributions and decay angular distributions are given. The decay of the diffractive system is seen to be very anisotropic, and largep _T is suppressed at higher masses. It is found that the “pomeron” couples with a single valence quark of the incident proton, but indications for a diquark-pomeron coupling are also found. Similarities with fragmentation in lepton-hadron deep inelastic scattering are underlined.     

用于有机光导材料的三偶氮颜料的合成研究

以4,4′,4″ 三氨基三苯胺为母体,以含有4种不同取代基的萘酚AS为偶合组分合成了一系列三芳胺三偶氮类有机光导颜料.用元素分析、红外光谱、紫外光谱、质谱和X射线衍射光谱对结构进行了表征.研究结果表明,含硫杂环三偶氮类有机光导颜料在520-730nm之间都有较强吸收.     

具有几个光振荡周期的飞秒激光脉冲

从麦克斯韦方程组出发 ,推导出了具有几个光振荡周期的飞秒激光脉冲在非线性光纤中传输的方程和非线性光纤的折射率。给出了描述具有几个光振荡周期的飞秒激光脉冲在非线性光纤中传输方程的解。研究了在非线性光纤中自相位调制导致具有几个光振荡周期的飞秒激光脉冲频谱展宽 (脉宽压缩 )的详细物理过程。研究了非线性光纤中飞秒光孤子产生的条件     

Deficient spline function approximation to second- order differential equations

An approximation with spline functions of degree m and deficiency 3 is developed for solving second-order initial-value problems. The stability of the approximate solution is investigated and it is demonstrated that the method is divergent for m 7. Convergence is shown for m = 5 and m = 6. Moreover, the method is of order (m + 1) and error bounds are of the form: [boxV ]S⁽ⁱ⁾(x)−yⁱx[boxV ]∞=0h^m+-i), i=01m A computational example is presented to illustrate the efficiency of the method.     

单侧变截面辊弯成型装备动力学建模与分析

机械系统的动力学建模与分析对深入研究和改善系统性能具有理论指导意义。针对四自由度单侧变截面辊弯成型装备,建立了该系统基于拉格朗日方程的动力学模型。通过求解系统微分方程组得到了驱动电机角加速度以及角速度的表达式。计算出在确定载荷下,该系统驱动电机的角加速度以及角速度的变化曲线,为伺服电机的控制以及系统的结构优化奠定了基础。     

一类非线性发展方程的AGE并行数值方法

给出一类非线性发展方程的AGE方法，并得到该方法的无条件稳定性，并行性兼顾的结果和计算实例。     

城市垃圾与煤混烧的灰渣中重金属的特性分析

在0.15MWt循环流化床燃烧试验台上进行了城市垃圾与煤混烧试验,对焚烧后的灰渣中重金属的特性进行了研究。研究结果显示,重金属在焚烧产物中通常以不同的化合物形态存在,改变垃圾与煤混烧时的燃烧工况条件,可以改变重金属的化合物形态,从而改变重金属在灰渣中的分布;灰渣中重金属的浸出毒性低于危险废物浸出毒性鉴别标准中的限定值。     

溅射气压对碳硅氧薄膜透过率及光学带隙的影响

采用射频磁控溅射技术在玻璃基底和单晶硅片(100)上制备了碳硅氧(SiOC)薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱及紫外可见透射光谱等技术手段对其进行了分析,研究了在不同溅射气压下所制备薄膜的组分、透过率及光学带隙.结果表明:随着溅射气压的增大,薄膜内部sp3键含量、透过率及光学带隙均随之增大,sp3键及其形成的宽带隙σ键对薄膜光学带隙有着较大影响.在溅射气压为3.0 Pa的条件下,薄膜光学带隙为2.67 eV.