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671.
Ahmed M. El‐Agrody Fathy A. Eid Hussein A. Emam Hany M. Mohamed Ahmed H. Bedair 《ChemInform》2002,33(38):123-123
672.
Current-voltage characteristics measured on TlGaTe2 single crystals reveal switching effects at temperatures below 263 K. The current-voltage characteristics are symmetric with respect to the polarity of the applied field. The threshold parameters for switching are found to depend on temperature, illumination intensity and sample thickness. 相似文献
673.
S. A. Hussein 《Crystal Research and Technology》1989,24(6):635-638
Conductivity type, carrier concentration and carrier mobility of InTe samples grown by Bridgmann technique were determined by the Hall effect and electrical conductivity measurements. The study was performed in the temperature range 150–480 K. Two samples with different growth rate were used in the investigation. The samples under test were P-type conducting, in accordance with previous measurements of undoped material. The Hall coefficient was found to be isotropic yielding room temperature hole concentration in the range 1015 – 1016 cm−3. The hole mobilities of InTe samples were in the range 1.17 × 103 – 2.06 × 103 cm2/V · sec at room temperature. The band – gap of InTe determined from Hall coefficient studies has been obtained equal to 0.34 ev. The scattering mechanism was checked, and the electrical properties were found to be sensitive to the crystal growth rate. 相似文献