基于FPGA的42英寸全色PDP存贮控制电路的实现

从等离子体平板显示器(PDP)的发光原理出发，分析和研究了存贮控制电路的工作原理，提出基于FPGA的电路设计方案，并给出数据整理电路和驱动信号产生电路的具体电路框图，最后给出部分仿真波形．     

瑶药野葛花中6种无机元素的测定

用原子吸收光谱法测定野葛花原生药、野葛花汤剂中的 Ca、Mg、Cu、Zn、Fe、Mn等 6种无机元素含量。结果表明 ,原药和水煎液中 Ca、Mg含量比较丰富 ;各种元素的煎出率存在着较大的差异 ,其中 Cu、Zn、Fe的煎出率较高 ,Zn最高 ,达到了 82 .5 6 % ;Ca最低 ,为 5 .5 8%。并且将其结果与葛根的无机元素做了比较。为探讨无机元素与中药药效之间的关系提供了基础数据。     

用光学差分吸收光谱监测大气中污染气体浓度

在实验室内模拟测量了实际大气中污染气体的差分吸收光谱 (DOAS) .本文在介绍差分吸收光谱技术同时 ,分析计算了污染气体的浓度 .实验设计中被测气体为大气中的 2种主要污染气体 :工业锅炉的主要排放物SO2 和机动车尾气的主要成分NO .用氘灯作为光源测量其在紫外波段的特征吸收 ,并通过光纤束连接光栅光谱仪 ,由计算机自动采集和处理数据 .     

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用2～8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.     

面阵探测器的像点亚像素定位研究

面阵探测器可直接探测点目标图像的位置，但其定位精度受到探测器分辨率的限制。因此，亚像元精度技术得到了发展。它是利用目标像点的灰度分布特性，通过内插细分算法，确定出像点位置。可将定位精度提高1—2个数量级。本文介绍了几种实现目标像点亚像素定位的内插细分算法。对它们的计算公式、特点进行了分析，并进行了实验验证。     

Enhancement of Overall Photovoltaic Efficiency by Changing the Position of the Attaching Group -RSO3- on the Hemicyanine Dye Molecules

A new photoresponsive D-π-A dye, mPS, has been designed and synthesized.Compared to the parent dye PS, IPCE values in the region from 400 nm to 560 nm was greatly improved upon changing the attaching group from the p- position to the o- position of the π-conjugation bridge. A solar cell based on mPS generated a remarkably high overall yield η of 5.4% under irradiation of 80.0 mW cm^-2 white light from a Xe lamp, Compared with PS, the overall yield η increased by 64%.     

一种新颖的超结构光纤Bragg光栅梳状滤波器的设计

报道一种新颖的用于多波长光纤激光器的超结构光纤Bragg光栅（SFBG）梳状滤波器，其突出特点是仅由单个光栅构成、折射率调制和局部啁啾富于变化、反射峰均匀性好、窄带宽和标准的信道间隔.采用基于LP算法的IS光纤光栅设计技术，将整体加窗切趾法改进为各信道独立加窗切趾，成功地设计出所需的SFBG，同时对SFBG的制作技术也进行了探讨.用传输矩阵法分析反射谱、时延曲线和群时延抖动.结果表明，所设计的SFBG满足各项设计指标要求，在DWDM系统中，这种新颖的SFBG可望成为用于多波长光纤激光器的最理想的高性 能梳 关键词： 超结构光纤Bragg光栅 光栅设计 梳状滤波器     

Effects of Post-Thermal Treatment on Quality of SiC Grown by PVT Method

We report the effects of post-thermal treatment on the quality of 2-inch 6H-SiC wafer cut from a crystal boule grown by physical vapour transportation method. The full widths at half maximum of x-ray diffraction rocking curves measured on sites across the 2-inch wafer become narrower, indicating the quality improvement after a three-step post-thermal treatment. It is found that the most common defects such as micropipes and inclusions can be significantly reduced after the treatment. Our results show that the post-thermal treatment is an effective route to improve the quality of SiC single crystals.     

举办《应用数学学校》和参加数学应用数学建模竞赛的实践和思考

通过开展应用数学教学活动和开办《应用数学学校》的多年实践 ,我校学生结合实际学习和应用数学知识的意识和能力不断提高 ,在上海市数学知识应用竞赛和美国大学生数学建模竞赛中连续取得好成绩 ,为了争取把这项工作做得更好 ,我们作了进一步思考和打算     

正方分布的4×4单模光纤熔锥耦合器耦合特性分析

本文以线性耦合波方程为基础,采用散射矩阵的方法讨论了具有正方分布的4×4单模光纤熔锥形耦合器的耦合特性,并与实验作了比较,得到了比较一致的结果。