电荷量子比特与量子化光场之间的纠缠

研究了初态为混合态的电荷量子比特与量子化光场之间的纠缠.通过求解系统的concurrence下限, 研究初态的混合度λ和失谐量Δ对系统纠缠随时间演化的影响. 在弱场中, 电荷量子比特初始是激发态的系统, 其纠缠度远远大于电荷量子比特初始是基态的系统, 并且Δ对系统的纠缠有明显的抑制作用. 在强场中, 电荷量子比特初始分别为激发态和基态时系统的纠缠演化接近一致, 初态混合度最高时系统的纠缠度最小, 并且Δ对系统纠缠的影响变弱. 关键词： 约瑟夫森结 纠缠 混合态 concurrence下限     

Rational Homotopy Theory and Nonnegative Curvature

in this note, we answer positively a question by Belegradek and Kapovitch about the relation between rational homotopy theory and a problem in Riemannian geometry which asks that total spaces of which vector bundles over compact non-negative curved manifolds admit （complete） metrics with non-negative curvature.     

应力对La0.83Sr0.17MnO3薄膜输运性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明，LSMO薄膜属于正交晶体结构，薄膜取向与膜厚度 有关，当膜厚度为450nm或680nm时，主要取向〈200〉，而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 ：根据离子对相互作用能和谐振子模型，得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式，6 00cm^-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关；块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(T_MI)存在较大差别，薄膜转变温度显著低于块体，并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化，引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因. 关键词： 单晶硅 晶格常数 金属—绝缘体转变温度 应力诱导     

纳米晶Y_2SiO_5∶Eu的浓度猝灭研究

报道了分别用溶胶－凝胶法合成的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米晶和用高温固相法合成常规尺度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ材料的光致发光光谱和猝灭浓度的实验研究．结果表明：纳米Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５比常规尺度的Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５有更高的猝灭浓度和更高的发光亮度．理论分析认为这是由于在纳米材料中能量共振传递被阻断和猝灭中心在各个纳米晶内分布的涨落造成的．这个结果为高亮度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米材料的实际开发应用展示了广阔前景．     

On N-widths in Ip

In this paper we prove that (1<p<+∞), give the characteristics of x^o and the optimal subspace for n-width d_n in space X=l _n ^N . Where d_n in the n-width, in the sense of Kolmogorov, ofD in X, dⁿ is the n-width ofD with respect to X, in the sense of Gel'fand, δ is the linear n-width ofD with respect to X.     

Rh(Ⅰ),Co(Ⅰ)和Ru(Ⅱ)双齿磷氢化物的合成.结构表征和催化加氢活性

膦配位的过渡金属氢化物被看作是烯烃及其他一些不饱含有机化合物催化加氢反应及氢甲酰化反应的催化活性物种,关于它们的结构与催化活性关系的研究,有着重要的理论意义和实际意义,通常单齿膦配位表现出较高的催化活性,而不同的金属中心在催化活性和选择性上也表现出明显的差别,反映了催化功能与催化活性物种的电子结构和空间结构之间存在着依存关系.膦配体过渡金属氢化物,通常是以它们的相应卤化物经氢化锂铝或硼氢化钠或肼还原得