Negative differential resistance behaviour in N-doped crossed graphene nanoribbons

By using first-principles calculations and nonequilibrium Green’s function technique, we study elastic transport properties of crossed graphene nanoribbons. The results show that the electronic transport properties of molecular junctions can be modulated by doped atoms. Negative differential resistance (NDR) behaviour can be observed in a certain bias region, when crossed graphene nanoribbons are doped with nitrogen atoms at the shoulder, but it cannot be observed for pristine crossed graphene nanoribbons at low biases. A mechanism for the negative differential resistance behaviour is suggested.     

预处理对355nm激光作用下熔石英损伤增长的影响

测试了经化学蚀刻、紫外激光预处理及其共同处理后的熔石英355 nm激光损伤阈值;研究了处理前后其损伤斑面积随激光辐照脉冲数的增长情况。结果表明,处理后熔石英355 nm激光损伤阈值得到了提高,且损伤斑面积增长变慢。利用CO2激光对熔石英表面损伤点进行了修复处理,修复后的损伤点R-on-1抗损伤阈值和基底阈值相当,损伤增长得到有效抑制。     

欧姆定律教学难点的突破

分析了欧姆定律的适用条件,结合教学中应用欧姆定律的疑难案例,从电路和能量的角度探讨了如何突破含电解槽、电动机、电容器、二极管等非纯电阻电路教学难点的策略.     

螺旋型爆磁压缩脉冲发生器电阻及磁通损失的数值计算

基于电流和磁扩散方程,讨论了螺旋型爆磁压缩脉冲发生器(MFCG)中的电阻与磁通损耗问题,将相关的接触电阻模型、欧姆电阻的趋肤效应与邻近效应模型具体应用到2维爆轰磁流体力学程序MF-CG-Ⅳ中,进一步完善了程序的物理功能。并选用美国德克萨斯理工大学简单绕制的螺旋型爆磁压缩脉冲发生器的实验结果对新增模块进行了考证,计算结果符合物理规律,且与实验测量吻合较好。     

固体材料低温比热测量技术综述

材料低温比热测量对新材料研究和应用具有重要意义,低温比热测量是低温物理研究领域最活跃的研究方向之一。对低温比热测量研究历史作了简单的介绍,对各种低温比热测量方法的原理、应用、发展进行了较全面的综述分析,对超低温、强磁场、放射性样品等特殊情况下比热测量作了讨论。     

The study of amorphous incubation layers during the growth of microcrystalline silicon films under different deposition conditions

<正>The structural un-uniformity of μc-Si:H films prepared using a very high frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition method has been investigated by Raman spectroscopy,spectroscopic ellipsometer and atomic force microscopy.It was found that the formation of amorphous incubation layer was caused by the back diffusion of SiH_4 and the amorphous induction of glass surface during the initial ignition process,and growth of the incubation layer can be suppressed and uniformμc-Si:H phase is generated by the application of delayed initial SiH_4 density and silane profiling methods.     

基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiN_x子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiN_x子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上. 关键词： 氮化硅 多层膜 限制结晶 纳米晶硅     

基于改进元胞自动机的数字保密通信方案

为了提高现有混沌保密通信系统的加解密速度和安全性,提出了一种新的即时同步流密码数字保密通信方案,在该方案中利用改进元胞自动机进行加密,并采用扩展密钥技术和置乱技术.数值模拟结果表明:该方案能产生随机性很好的流密码,并且具有较高的加解密速度和非常高的抗破译能力.     

基于随机并行梯度下降算法的多波长激光相干合成

由于受到受激布里渊散射(SBS)等非线性效应的限制,单频激光放大器的功率在百瓦量级,以非单频激光多波长激光作为种子源能够有效地抑制SBS并提高放大器功率.与单频激光相干合成相比,非单频率、多波长激光的相干合成有望将输出激光功率成量级地提高.基于随机并行梯度下降(stochastic parallel gradient descent,SPGD)算法,实现了四波长激光的相干合成.在系统闭环时,四路多波长激光合成后的主瓣能量能够提高3倍,达到理想值的75%.验证了多波长、非单频激光相干合成的可行性,为高功率相干合成的发展提供了新的途径.     

基于波叠加法的近场声全息空间分辨率增强方法

提出一种基于波叠加法的近场声全息空间分辨率增强方法. 该方法在波叠加法的基础上,利用全息面声压信号求得布置在全息面附近的虚源面上的简单源源强,再根据求得的简单源源强实现对全息面声压的插值,进而利用插值后的全息面声压数据进行重建. 该方法可以提高近场声全息重建图像的空间分辨率,减少测量工作量,简化测量过程. 通过仿真对影响插值结果的参数进行了分析,给出了合理的选取范围;通过仿真和实验研究验证了该方法的有效性. 关键词： 波叠加法 近场声全息 空间分辨率