全文获取类型
收费全文 | 10620篇 |
免费 | 1815篇 |
国内免费 | 1650篇 |
专业分类
化学 | 7805篇 |
晶体学 | 112篇 |
力学 | 573篇 |
综合类 | 111篇 |
数学 | 1265篇 |
物理学 | 4219篇 |
出版年
2024年 | 40篇 |
2023年 | 218篇 |
2022年 | 361篇 |
2021年 | 411篇 |
2020年 | 419篇 |
2019年 | 416篇 |
2018年 | 342篇 |
2017年 | 346篇 |
2016年 | 520篇 |
2015年 | 506篇 |
2014年 | 586篇 |
2013年 | 768篇 |
2012年 | 890篇 |
2011年 | 1004篇 |
2010年 | 681篇 |
2009年 | 647篇 |
2008年 | 721篇 |
2007年 | 641篇 |
2006年 | 593篇 |
2005年 | 521篇 |
2004年 | 374篇 |
2003年 | 332篇 |
2002年 | 420篇 |
2001年 | 354篇 |
2000年 | 275篇 |
1999年 | 286篇 |
1998年 | 233篇 |
1997年 | 188篇 |
1996年 | 151篇 |
1995年 | 127篇 |
1994年 | 113篇 |
1993年 | 99篇 |
1992年 | 99篇 |
1991年 | 110篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 47篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 28篇 |
1986年 | 32篇 |
1985年 | 29篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 4篇 |
1976年 | 1篇 |
1957年 | 2篇 |
1943年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
郭黎平 《高等学校化学学报》1993,14(1):29-32
本文将自制Y式玻碳电极拉上两性接枝星形聚合物(GPSMA)的LB膜,用循环伏安法研究谈膜的屏蔽效应,讨论了接枝量、成膜条件等对膜缺陷的影响,并提出了减少缺陷的办法。 相似文献
72.
In continuation of our studies on Aconitum hemsleyanum Pritz.var. pengzhouense, two new norditerpenoid alkaloids, pengshenines A(1) and B(2),have isolated from the roots of the plants and their strucures were elucidated by 1D-and 2D-NMR. 相似文献
73.
制备了不同摩尔比的甲基丙烯酸-磷脂酰乙醇甲基丙烯酰胺共聚物,研究了这种共聚物在水面的表面压力(π)-分子面积(A)曲线、共聚物制成的MOS LB膜的电容(C)-电压(V)特性及此LB膜的相变温度。 相似文献
74.
功能性超薄有序分子沉积膜的制备及其结构研究 总被引:14,自引:4,他引:14
1991年G.Decher等首次探讨了阴阳离子与聚电解质交替沉积制备有机超薄膜的方法。我们在完善成膜技术和发展成膜基质的基础上,详细研究了其成膜过程与膜的结构,并定义这种新的自组装超薄有序膜为分子沉积膜——MD膜。MD膜是利用阴阳离子的静电吸附反应特性,通过相反离子体系的交替分子沉积制备的层状有序自组装多层超薄膜。需要指出的是,分子沉积既是有机超薄膜的制备技术,本身又是一种自组装超薄有序膜。MD膜制备工艺简单,热稳定性和长期稳定性好,不受基体形状与面积限制。 相似文献
75.
Hui Jin Yan-bing Hou Xian-guo Meng Feng Teng 《高分子科学》2006,(6):553-558
In this paper, photoexcitation processes in the bilayer devices based on inorganic materials and poly(N-vinylcarbazole) (PVK) were investigated. In order to clarify the roles of inorganic materials in photoconductive properties of bilayer devices, TiO2 and ZnS were chosen to combine with PVK. A model for generation of photocurrent (Iph) in single layer device of PVK was obtained. It is deduced that the recombination rate constant (Pcomb) and the ionization rate constant (y) ofexcitons should be considered as the most important factors for Iph. For inorganic materials (TiO2 or ZnS)/PVK bilayer devices, in reverse bias of-4 V, the photocurrent of 115 mA/cm^2 in the TiO2/PVK device was observed, but the photocurrent in the ZnS/PVK device was only 10 mA/cma under the illumination light of 340 nm and the light intensity of 14.2 mW/cm^2. The weaker photocurrent is attributed to the absorption of ZnS within UV region and the energy offset at the interface between PVK and ZnS, which impedes the transport of charge carriers. 相似文献
76.
The Ramanujan Journal - We show that if $$E/\mathbb {Q}$$ is an elliptic curve with a rational p-torsion for $$p=2$$ or 3, then there is a congruence relation between Ramanujan’s tau function... 相似文献
77.
The Ramanujan Journal - Let $$k\ge 2$$ be an even integer, and let M be a positive integer. We prove a hybrid subconvexity bound for $$L(1/2,\text {sym}^2 f\otimes \chi )$$ with the associated... 相似文献
78.
Analytical solutions of the lattice Boltzmann BGK model 总被引:1,自引:0,他引:1
Analytical solutions of the two-dimensional triangular and square lattice Boltzmann BGK models have been obtained for the plane Poiseuille flow and the plane Couette flow. The analytical solutions are written in terms of the characteristic velocity of the flow, the single relaxation time , and the lattice spacing. The analytic solutions are the exact representation of these two flows without any approximation. Using the analytical solution, it is shown that in Poiseuille flow the bounce-back boundary condition introduces an error of first order in the lattice spacing. The boundary condition used by Kadanoffet al. in lattice gas automata to simulate Poiseuille flow is also considered for the triangular lattice Boltzmann BGK model. An analytical solution is obtained and used to show that the boundary condition introduces an error of second order in the lattice spacing. 相似文献
79.
80.
Hou WS 《Physical review letters》1994,72(25):3945-3948