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201.
Zhigang Yin Nuofu Chen Shulin Song Jun Zhong Kurash Ibrahim 《Solid State Communications》2005,135(7):430-433
Nickel-doped ZnO (Zn1−xNixO) have been produced using rf magnetron sputtering. X-ray diffraction measurements revealed that nickel atoms were successfully incorporated into ZnO host matrix without forming any detectable secondary phase. Ni 2p core-level photoemission spectroscopy confirmed this result and suggested Ni has a chemical valence of 2+. According to the magnetization measurements, no ferromagnetic but paramagnetic behavior was found for Zn0.86Ni0.14O. We studied the electronic structure of Zn0.86Ni0.14O by valence-band photoemission spectroscopy. The spectra demonstrate a structure at ∼2 eV below the Fermi energy EF, which is of Ni 3d origin. No emission was found at EF, suggesting the insulating nature of the film. 相似文献
202.
Bearden IG Beavis D Besliu C Blyakhman Y Budick B Bøggild H Chasman C Christensen CH Christiansen P Cibor J Debbe R Enger E Gaardhøje JJ Germinario M Hagel K Hansen O Holm A Holme AK Ito H Jakobsen E Jipa A Jundt F Jørdre JI Jørgensen CE Karabowicz R Keutgen T Kim EJ Kozik T Larsen TM Lee JH Lee YK Løvhøiden G Majka Z Makeev A McBreen B Mikelsen M Murray M Natowitz J Nielsen BS Norris J Olchanski K Olness J Ouerdane D Płaneta R Rami F Ristea C Röhrich D Samset BH Sandberg D Sanders SJ 《Physical review letters》2003,90(10):102301
We present ratios of the numbers of charged antihadrons to hadrons (pions, kaons, and protons) in Au+Au collisions at sqrt[s(NN)]=200 GeV as a function of rapidity in the range y=0-3. While the ratios at midrapidity are approaching unity, the K(-)/K(+) and p;/p ratios decrease significantly at forward rapidities. An interpretation of the results within the statistical model indicates a reduction of the baryon chemical potential from mu(B) approximately 130 MeV at y=3 to mu(B) approximately 25 MeV at y=0. 相似文献
203.
Experimental long-distance decoy-state quantum key distribution based on polarization encoding 总被引:1,自引:0,他引:1
Peng CZ Zhang J Yang D Gao WB Ma HX Yin H Zeng HP Yang T Wang XB Pan JW 《Physical review letters》2007,98(1):010505
We demonstrate the decoy-state quantum key distribution (QKD) with one-way quantum communication in polarization space over 102 km. Further, we simplify the experimental setup and use only one detector to implement the one-way decoy-state QKD over 75 km, with the advantage to overcome the security loopholes due to the efficiency mismatch of detectors. Our experimental implementation can really offer the unconditionally secure final keys. We use 3 different intensities of 0, 0.2, and 0.6 for the light sources in our experiment. In order to eliminate the influences of polarization mode dispersion in the long-distance single-mode optical fiber, an automatic polarization compensation system is utilized to implement the active compensation. 相似文献
204.
Longitudinal and transverse wave velocities, eight kinds of elastic parameters, and dilational and shear internal frictions of Zr55Cu30Al10Ni5 glassy alloy were simultaneously measured as a function of temperature in the range from 77 to 373 K, using an ultrasonic pulse method. The inflections at around 150 K for wave velocities, anisotropy factor and Poisson's ratio, and the 150 K peak of shear friction seem to correspond to one topological change (pseudo‐transition) associated with an interatomic readjustment or vacancy rearrangements. The behaviors from 77 to 125 K and 125 to 373 K are due to thermal relaxation of squeezed free volumes and entropy elasticity associated with vibrational motions of clusters, respectively, accompanied by an increase in atomic distance. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
205.
206.
采用熔融-淬火-放电等离子体烧结制备了Ag偏离化学计量比Ag1-xPb18SbTe20(x=0,0.25,0.50,0.75)样品,研究了Ag含量对样品热电传输性能的影响.结果表明,随Ag含量降低,样品中出现少量第二相Sb2Te3,样品载流子浓度增加到5×1018cm-3后不再增加.样品载流子迁移率随Ag含量降低先降低后增加,随着温度增加,载流子散射机理由电离杂质散射转变为声学波散射.随Ag含量降低,样品电导率增加而Seebeck系数降低,热导率增加. 相似文献
207.
208.
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.
关键词:
相变存储器
硫系化合物
2Te3薄膜')" href="#">Si掺杂Sb2Te3薄膜
SET/RESET转变 相似文献
209.
210.
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5 keV/nm时, 不同辐照剂量(5×1010 —8×1013 ions/cm2)下, 在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。 分析表明, Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。 在辐照剂量达到一中间值1×1012 ions/cm2, C60分子的损伤得到部分恢复, 归因于电子激发引起的退火效应。 通过对Raman数据的拟合分析, 演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14 cm2。 相似文献