低气压条件下氢气潘宁放电的模拟分析

为更好地理解低气压、弱电离条件下潘宁离子源放电过程中离子和电子的动力学行为, 通过建立二维轴对称模型, 采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法, 考虑了电子与氢气之间的弹性碰撞、激发、电离以及氢原子、离子之间的弹性碰撞和电荷交换等过程, 对微型氢气潘宁离子源放电和引出过程进行了数值研究. 考察了磁场位形、壁面二次电子发射系数、引出电压和充气压力对放电过程的影响, 得到了实验中难以诊断得到的放电腔内电子与离子数密度分布, 阳极电流、引出极离子电流、单原子氢离子比例和双原子氢离子比例等宏观参数与实验结果相一致. 通过仿真使得对氢气潘宁放电机制的研究从定性过渡到定量, 这对于潘宁离子源的设计和改进具有重要意义. 关键词： 潘宁放电 氢气 粒子模拟 蒙特卡罗     

吐昔烯衍生物分子的电荷传输性质

根据爱因斯坦方程和Marcus电荷传输模型, 使用密度泛函理论B3lyp/6-31g^**理论水平计算6 个吐昔烯衍生物分子的结构和电荷传输性质. 结果显示: 6个吐昔烯的衍生物分子的空穴迁移速率为0.018–0.062 cm²·V^-1·s^-1, 电子迁移率为0.055–0.070 cm²·V^-1·s^-1, 其中3, 8, 13-辛烷氧基吐昔烯衍生物分子适合作为双极性传输材料. 三条烷氧基链的吐昔烯衍生物分子上引入三个甲氧基或羟基, 均使空穴和电子传输率降低. 引入给电子基团或共轭性基团可减小吐昔烯衍生物分子的能隙, 达到有机半导体的能隙要求. 关键词： 吐昔烯衍生物 空穴传输 电子传输 有机半导体     

基于Add-drop型微环谐振腔的硅基高速电光调制器设计

相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器, Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度, 使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑. 本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低调制电压下实现大消光比的硅基电光调制器, 所用微环谐振腔的半径仅仅为20 μm. 重点分析了直波导与微环谐振腔的耦合对调制器性能的影响, 发现较小的Drop端耦合系数有利于消光比的提高, 但是不能同时达到最佳的调制带宽, 因此设计上存在一个带宽和消光比性能上的折中考虑. 根据优化设计的结果进行了实际器件的制作和测试. 静态光谱测试表明, 在3 V反向偏置电压的作用下, 调制器的消光比最大可达12 dB. 动态电光响应测试中, 在仅仅1.2 V的信号幅值电压下测得了8 Gbps数据传输速率的清晰眼图. 关键词： 电光调制器 绝缘体上的硅 微环谐振腔 载流子色散效应     

Statistical distribution based detector response function of a Si(PIN) detector for K_α and K_β X-ray

A semi-empirical detector response function (DRF) model of a Si (PIN) detector is proposed to fit element Kα and Kβ X-ray spectra, which is based on the statistical distribution analytic (SDA) method. The model for each single peak contains a step function, a Gaussian function, and an exponential tail function. Parameters in the model are obtained by the weighted nonlinear least-squares fitting method. In the application, six kinds of elements’ characteristic X-ray spectra are obtained by using the Si (PIN) detector, and fitted by the established DRF model. Reduced chi-square values are at the interval of 1.11-1.25. Other applications of the method are also discussed.     

Charge state effect on the K-shell ionization of iron by xenon ions near the Bohr velocity

Fe K-shell ionization cross sections induced by 2.4–6.0 MeV Xe20+are measured and compared with different binaryencounter-approximation(BEA)models.The results indicate that the BEA model corrected both by the Coulomb repulsion and by the effective nuclear charge(Zeff)agrees well with the experimental data.Comparison of Fe K-shell X-ray emission induced by 5 MeV xenon ions with different initial charge states(20+,22+,26+,30+)verifies the applicability of the effective nuclear charge(Zeff)correction for the BEA model.It is found that Zeffcorrection is reasonable to describe direct ionization induced by xenon ions with no initial M-shell vacancies.However,when the M shell is opened,the Zeffcorrected BEA model is unable to explain the inner-shell ionization,and the electron transfer by molecular-orbital promotion should be considered.     

水平轴风力机专用翼型性能评估方法

本文提出了风力机翼型完整的性能参数体系和相应的评估方法,并以此评估了CAS-W1翼型与DU翼型的性能特征。对翼型性能的评估侧重于失速特性、非设计点特性和翼型气动性能的稳定性。评估结果表明,相对于DU翼型,CAS-W1翼型系列设计点性能和非设计点性能较好,但是失速特性和性能稳定性需要优化。     

谈精品开放课程建设与人才培养

我国经历十几年的精品课程建设后取得了一定的成就,精品开放课程建设又将进一步促进我国高等教育质量的提高.本文旨在强调精品开放课程建设与人才培养密不可分的有机联系,提出在精品开放课程建设中应注重学生自主式研究型学习,并以电磁学课程为例就课程教学方法改革提出了一些建议.呼吁精品开放课程建设以学生为本,强调精品开放课程建设与教学改革中理性的回归.     

电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应

在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。     

空富勒烯C36和嵌入Mg原子的C36分子的电子学特性研究

采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了富勒烯C36分子和以金原子面为电极的Au-S-C36-S-Au电子传输系统的电子结构和传输特性.然后将镁原子嵌入C36笼腔内得到了一个新的分子器件Mg@C36,接金电极后建立了它的电子传输系统Au-S-Mg@C36-S-Au,并且得出了这一系统的电子能级、分子轨道分布、传输概率、态密度、伏安特性和电导曲线.结果显示C36和Mg@C36的电子传导主要集中在分子壳上,且系统Au-S-C36-S-Au中的电子传输主要分布在分子壳的外侧,而系统Au-S-Mg@C36-S-Au中的电子传输在分子壳外侧和内侧的近似相同,二个系统都有着非线性的Ⅰ-Ⅴ特性和电导曲线.     

Effect of emitter layer doping concentration on the performance of silicon thin film heterojunction solar cell

A novel type of n/i/i/p heterojunction solar cell with a-Si:H(15 nm)/a-Si:H(10 nm)/ epitaxial c-Si(47 μm)/epitaxial c-Si(3 μm) structure is fabricated by using the layer transfer technique, and the emitter layer is deposited by hot-wire chemical vapour deposition. The effect of the doping concentration of emitter layer S_d (S_d=PH₃/(PH₃+SiH₄+H₂)) on the performance of the solar cell is studied by means of current density-voltage and external quantum efficiency. The results show that the conversion efficiency of the solar cell first increases to a maximum value and then decreases with S_d increasing from 0.1% to 0.4%. The best performance of the solar cell is obtained at S_d = 0.2% with an open circuit voltage of 534 mV, a short circuit current density of 23.35 mA/cm², a fill factor of 63.3%, and a conversion efficiency of 7.9%.