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本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R~T曲线知道样品TC(0)高达40.1K.由M~T曲线知道其TC=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M~H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下JC(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响. 相似文献
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YBa2Fe3O8(YBFO)是具有三方钙钛矿结构的反铁磁(AFM)体,研究它的结构和磁性质对于我们认识三方钙钛矿结构具有重要作用.目前,关于固相法制备YBFO中退火温度方面的研究并不多,而控制退火温度是这种工艺中的重要环节.为制备高含量的YBa2Fe3O8,本文分别在760℃、950℃和1100℃退火温度下,采用固相... 相似文献
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利用密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,对硫醇分子膜的电学特性进行了理论模拟,计算结果表明,分子结的导电能力随着压力增加而增加,对单分子构成的分子结来说,电流的增加主要是由于电极距离的变化导致单个分子与电极的耦合增强,对于由多个分子构成的分子膜来说,由于外加压力的变化,导致分子结的链内隧穿和链间隧穿几率增大,从而导致导... 相似文献
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