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171.
Seitz O Fernandes PG Mahmud GA Wen HC Stiegler HJ Chapman RA Vogel EM Chabal YJ 《Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids》2011,27(12):7337-7340
A one-step functionalization process has been developed for oxide-free channels of field effect transistor structures, enabling a self-selective grafting of receptor molecules on the device active area, while protecting the nonactive part from nonspecific attachment of target molecules. Characterization of the self-organized chemical process is performed on both Si(100) and SiO(2) surfaces by infrared and X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy, and electrical measurements. This selective functionalization leads to structures with better chemical stability, reproducibility, and reliability than current SiO(2)-based devices using silane molecules. 相似文献