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31.
We report the development of a novel zeolite-incorporated optical fiber sensor and demonstrate its capability for in situ detection of chemical vapors. The sensor comprises a polycrystalline silicalite thin film grown upon the cleaved end face of a standard single-mode optical fiber. The sensor device operates by measuring the optical reflectivity of the zeolite crystals, which changes reversibly in response to the amount of chemical vapor adsorbed in its crystalline microporous structure. The sensor has been successfully demonstrated for measuring the concentration of isopropanol vapor in mixtures with nitrogen gas. 相似文献
32.
利用广义不确定关系修正的态密度方程并采用Wentzel-Kramers-Brillouin(WKB)近似方法,计算了Reissner-Nordstrm-de Sitter(RNdS)黑洞时空中标量场的统计力学熵.结果表明,由这种方法得到的黑洞熵与它的内、外视界面积和宇宙视界面积之和成正比,这与采用其他方法所得的结果一致,从而揭示了黑洞熵与视界面积之间的内在联系,也进一步表明了黑洞熵是视界面上量子态的熵,是一种量子效应. 相似文献
33.
隧道结磁阻(TMR) 传感器及巨磁阻(GMR) 传感器的1/f噪声在低频段噪声功率密度较大, 是影响其低频下分辨率和灵敏度的主要噪声形式. 本文详细介绍了近年来TMR传感器及GMR传感器1/f噪声的特点、来源、理论模型、检测方法及降噪措施等方面的研究进展, 并就隧道结磁阻传感器1/f噪声的物理模型进行了详细解释. 通过纳米模拟软件Virtual NanoLab对不同MgO厚度的Fe/MgO/Fe型磁性隧道结(MTJ) 进行了隧穿概率和TMR变化率的模拟计算, 得到保守估计与乐观估计的TMR变化率, 分别为98.1%与10324.55%, 同时通过MTJ的噪声模型分析了MgO厚度对TMR传感器噪声的影响. 制备了磁屏蔽系数大于10000的磁屏蔽筒并搭建了磁阻传感器1/f噪声的测试平台, 通过测试验证了磁屏蔽系统对环境磁场具有较好的屏蔽效果, 为噪声检测提供了稳定的磁场空间. 最后分析了TMR与GMR中各种因素对传感器噪声的影响, 提出了影响MTJ传感器1/f噪声的因素及一些降噪措施. 相似文献
34.
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36.
37.
V. Anuradha D. D. Hai R. Shivaji 《Proceedings of the American Mathematical Society》1996,124(3):757-763
We consider the existence of positive solutions to the BVP
where . Our results extend some of the existing literature on superlinear semipositone problems and singular BVPs. Our proofs are quite simple and are based on fixed point theorems in a cone.
38.
无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型 相似文献
39.
本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Si(100)表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明:在硅片浸入氢氟酸溶液的初期,表面主要被硅和三个氢原子的结合体(Si H3)以及硅和两个氢原子的结合体(Si H2)所覆盖。随着腐蚀过程的延长,Si H3越来越少,Si H2的信号不断增强,并且,硅和单个氢原子的结合体(Si H)的信号也开始出现。最终,硅表面主要被Si H2所覆盖,有少量Si H3和Si H键。本文还表明,拉曼光谱用来原位观察半导体材料表面终端原子键在溶液中的变化是很有用的工具 相似文献
40.