Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19,0.22,0.25,0.32）的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了Al_xGa_1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分（25%）范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×10¹³ cm^-2和1 680 cm²/（V·s）,方块电阻低至310 Ω/□。     

Quantal symmetries in the non-linear σ model with Maxwell and non-Abelian Chern-Simons terms

The quantal symmetry property of the CP1 nonlinear σ model with Maxwell non-Abelian ChernSimons terms in(2+1) dimension is studied.In the Coulomb gauge,the system is quantized by using the Faddeev-Senjanovic(FS) path-integral formalism.Based on the quantaum Noether theorem,the quantal conserved angular momentum is derived and the fractional spin at the quantum level in this system is presented.     

利用表面波的差频以产生远红外辐射

本文提出在金属-非线性晶体界面上实现表面波差频产生远红外辐射的方案。具体地计算了在非共线匹配情况下Al-GaAs界面上远红外辐射的功率。计算中考虑了各介电常数的虚部。 关键词：     

用光学方法实现幺正变换及一般线性变换(Ⅱ)——用迭代法求解

如何设计由全息透镜构成的光学系统用来实现所要求的变换,是当前应用光学的一个重要课题。本文提出了一个应用计算机的迭代求解法,并讨论了它的收敛性和采用有限维近似的问题。文中还通过简单的例子,分析了具体计算中出现的问题。     

用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器

采用电阻率为10000—20000Ω.cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为60mm,耗尽层厚度~1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.     

随机Richlet级数的增长性

本文构造了全平面上的无限级Dirirchlet级数,使得它对型函数的增长性与一个已知的不同分布随机Dirichlet的增长性相同,从而通过前者增长性与指数,系数的关系可研究后者的增长性.     

输运与撕裂模相互作用下等离子体的时空结构

本文应用等离子体一维输运模型与撕裂模理论,对于不同的输运模型和托卡马克放电参数下撕裂模的演变进行了数值研究。结果表明,能量过程是影响等离子体宏观稳定性行为的一个不可低估的重要因素,它们与磁流体稳定性的相互影响,会使其磁流体形态构成多种时间或空间结构,等离子体温度、密度等宏观参量也将表现出不同的时空特征。 关键词：     

α-AlPO4晶体弹性温度特性的研究

研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO₄晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数c_ij和s_ij(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T₀=25℃时的一级、二级和三级温度系数。 关键词：