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首次报告在A3M2Ge3O12∶Cr(A=Cd2+,Ca2+;M=Al3+,Ga3+,Sc3+)锗酸盐石榴石体系中,Cr3+离子室温下的红—近红外(R—NIR)宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Al3+→Ga3+→Sc3+和十二面体格位上的Cd2+→Ca2+组成顺序变化,室温下,Cr3+离子的4T2→4A2能级跃迁的R-NIR宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉(钙)铝和镉(钙)镓锗酸盐体系中,少量Sc3+取代八面体上的Al3+和Ga3+时,可使Cr3+的R-NIR荧光发射强度增强。 相似文献
122.
本文提出了阿莫西林[(2S,5R,6R)-3,3-二甲基-6-[(R)-(-)-2-氨基-2-(4-羟基苯基)乙酰氨基]-7-氧化-4-硫杂-1-氮杂双环[3,2,0]庚烷-2-甲酸三水化合物]荧光分析的方法。并对影响阿莫西林荧光性质(光谱和光谱强度)的各种因素,包括pH值、表面活性剂的增效作用、无机离子的配合作用以及其他介质条件等进行了较为详细的研究。实验结果表明,阿莫西林具有良好的荧光性质,在微碱性条件下荧光发射最强,CTAB对其有增效作用,与无机离子(Mg 相似文献
123.
124.
无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型 相似文献
125.
HUANG Feng LOU Qihong 《Chinese Journal of Lasers》1999,8(1):15-20
1IntroductionExcimerlasersarethepulsedgaslaserwhichoperateatanumberoffixedwavelengthsintheregionofultraviolet.However,itspuls... 相似文献
126.
127.
阳离子表面活性剂与溴酚红的显色反应及其分析应用 总被引:15,自引:0,他引:15
黄传敬 《光谱学与光谱分析》2000,(2)
研究了阳离子表面活性剂 (CSAA)溴化十六烷基三甲铵 (CTAB)、溴化十六烷基吡啶 (CPB)在水溶液中与溴酚红 (BPR)的显色反应。发现在pH 5 0~ 6 0范围内 ,CSAA单体与BPR形成离子缔合物(缔合比为 3∶2 ) ,可用于微量CSAA及CSAA的临界胶束浓度 (CMC)的测定。本文还研究了显色反应的适宜条件、分析特征 ,并讨论了反应机理 相似文献
128.
Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 相似文献
129.
130.