气相法二氧化硅负载胺-钯配合物的制备及对Heck反应催化性能的研究

以气相法二氧化硅为载体,链状胺和环胺为功能化试剂,制得一系列二氧化硅-胺基复合载体,通过配位反应得到二氧化硅负载胺-钯（Ⅱ）配合物,进一步还原得到二氧化硅负载胺-钯（0）配合物．采用IR、XRD、XPS、ICP技术对配合物进行表征,并研究了配合物的制备、反应条件以及配体差异对其催化碘苯与丙烯酸的Heck反应的性能．结果表明,该类催化剂在较低的温度下（70～90℃）即可较好地催化该反应,生成反式产物;还原后催化剂具有更好的催化活性和良好的重复使用性能;具有链状胺基配体的催化剂随着N原子数目的增加,催化活性呈上升趋势,而具有环状胺基配体的催化剂活性明显低于前者．     

稀土催化NB与BMA共聚条件的研究

研究了Nd（naph）3-Al（i-Bu）3（naph为环烷酸）催化降冰片烯（NB）与甲基丙烯酸丁酯（BMA）共聚反应的条件及其催化剂钕铝比的影响.结果表明：稀土催化剂在温和的反应条件下有较好的催化性能;共聚反应可以在室温下进行,反应温度的增加使共聚物收率略减;共聚物分子量和分子量分布随NB/MA摩尔比的增加而变小,共聚物分子量分布较小,Mw/Mn=1.65～2.22;共聚物收率随Al/Nd摩尔比而变化,较合适的Al/Nd摩尔比为5.5.     

Gd_(1-x)Zn_xMnO_3系列化合物Rietveld结构分析

利用标准的固相反应法在1 350 ℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品.利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究.X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构.用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化.在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大.     

聚乙撑二氧噻吩导电聚合物上吗啡的电化学检测

在水相中电沉积制备得到了聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）导电聚合物膜,研究了沉积电量、沉积电位等因素对聚合物膜的电化学活性及其在水溶液中检测吗啡的电化学响应的影-向．结果表明．沉积电量为20～40mC,沉积电位为1．2V（相对于Ag／AgCl电极）时所得的聚合物膜对吗啡具有最高的电化学响应．在此基础上,研究了PEDOT膜修饰电极在不同浓度的吗啡水溶液中的电化学检测,发现在0．05～6mmol·L^-1浓度范围内具有很好的线性响应．最低检测限为0．05mmol·L^-1,相关系数达0．995．     

制备工艺对多孔阳极氧化铝特性的影响

通过对草酸溶液中制备的多孔阳极氧化铝(PAA)的形貌、晶态结构和光致发光(PL)特性的表征和机理分析,研究了草酸电解液浓度、阳极氧化电压和退火等丁艺对PAA的形成及特性的影响.PAA的孔径在50～120 nm之间,且随着阳极氧化电压的升高而增大,而受电解液浓度的影响较小.X射线衍射结果表明:PAA为非晶态结构,退火之后结晶,并有多相共存.PL测试表明PAA在375～500 nm之间有一较宽的蓝色发光带,发光峰在425 nm左右,是由氧空位引起的,且其峰强可通过改变阳极氧化电压和草酸浓度等参数来调制.     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A₁,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。 关键词：     

微量低电离电位的添加物对XeCl准分子激光输出的影响

本文报道在XeCl准分子激光器中添加微量的氯苯(C_6H_5Cl)或四氯化碳(CCl_4),使激光输出能量提高约16％。     

波阵面声定向的实验研究

本文介绍了平面波近似声定向方法的实验研究。它是以三元子阵为基础,从波阵面出发,从而得到一组定向结果。这种解法繁简适中,处理过程规则,便于一般数字处理系统采用。特别由于次声波传播很远,而中间介质状态很难精确知道,因此本法常常获得较好结果(相对更精确方法而言)。
文内还给出了这种方法应用的具体试验结果。即使在平面声波条件不甚满足的情况下,其定向的相对误差也只有3.3%。     

产生多个大横动量成份的超高能核作用事例

对甘巴拉山乳胶室得到的一个∑E_r≈1300TeV的r线簇进行了分析,这个事例是发生在乳胶室上方的核作用,产生的高度低于150m,事例的中心部分由5个集团组成,对此事例的特性进行了讨论。 关键词：