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942.
采用高温固相法,先在空气气氛下制备了SrAl2O4∶Eu,Dy,后对其进行还原→氧化→还原处理.X射线衍射结果表明,经过还原→氧化→还原处理后样品的晶体结构没有改变.样品的发射光谱测试表明,在高温空气气氛下有少量的Eu3+还原成Eu2+.Eu3+和Eu2+有不同的发光特性,Eu3+产生的是线状特征光谱,发射峰值在592,616 nm.Eu2+产生的是带状光谱,带的中心位置在513 nm.经过还原处理的样品和经过氧化处理的样品相比,Eu2+的浓度得到显著提高,而Eu3+的浓度则急剧下降.对Eu2+的氧化、Eu3+的还原的机理进行了细致地讨论.另外,样品的热释光谱测试表明,经过氧化气氛处理和经过还原气氛处理过的样品的热释光峰值有很大的变化,但陷阱能级深度基本不变,在0.65 eV左右.这表明,对长余辉材料SrAl2O4∶Eu,Dy进行还原→氧化→还原处理,Eu离子价态和发光强度会产生变化,并不影响其中Dy离子的陷阱能级. 相似文献
943.
用单调有界定理证明了数列{Γ(n+1/2)/√nΓ(n/2)}+∞n=1的奇子列和偶子列极限的存在性,并给出了该数列的极限为1/√2.本文所得结果对帮助学生更好理解概率统计论中t分布密度函数的极限函数的证明有一定指导作用. 相似文献
944.
为研究卷烟纸、成型纸、接装纸及嘴棒组合搭配对"中式卷烟"焦油量、烟气烟碱量、烟气水分、烟气一氧化碳量及过滤效率的影响,尝试采用L_(27)(3~(13))裂区正交设计方法对RR卷烟进行在线试验和取样.检测结果经过直观分析、方差分析及贡献率分析,结果表明:嘴棒长度、吸阻及接装纸透气度是影响试验指标的高度显著因素及重要因素.所以重点对嘴棒长度、吸阻及接装纸透气度进行调整和控制,可以很好地实现卷烟产品的质量控制,减少产品质量波动,降低产品成本.使用该方法可快捷、高效、经济、准确地寻找并确定卷烟材料多因素对卷烟主流烟气量及过滤效率的影响规律及卷烟产品的材料搭配优化方案.从而实现卷烟产品材料搭配精益化,满足烟草企业的实际需求. 相似文献
945.
散心柱面胞格爆轰演化数值研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用有限体积方法,在自适应非结构网格上求解二维含化学反应Euler方程,数值研究了柱面胞格爆轰波演化现象.化学反应计算采用单步可逆总包反应模型.数值结果演示了散心柱面胞格爆轰波演化过程中胞格结构的分裂现象,获得了与实验结果定性一致的结果.胞格结构的分裂演化在点火区近场和远场显示了不同的特点,其中爆轰波传播过程中波阵面当地曲率的变化是控制胞格分裂演化行为的关键因素.数值结果也显示胞格结构的分裂现象来自于爆轰波前锋结构中横波的自组织行为,即沿爆轰波波面传播的小扰动发展成为横波的过程,这种现象与胞格爆轰波的不稳定性密切相关. 相似文献
946.
为了检测航天相机主动热控系统的功能、性能及可靠性,设计了主动热控仿真测试系统。依据传热学基本定律、航天器轨道理论和热控策略,给出了计算航天相机温度场的热网络数学模型,使主动热控系统能在模拟的空间热环境中连续工作,实现了对主动热控系统的闭环仿真测试。采用两个数字电位器相串联的方法模拟温度传感器的走势,得到的最大阻值为100 kΩ,精度达到10Ω,符合设计中对总电阻和电阻变化率的需求,实现了对主动热控系统的功能、性能以及可靠性的仿真测试。 相似文献
947.
InAs infrared-sensitive solar cells are fabricated by using the films grown by the liquid phase epitaxy technique. The film microstructures are characterized by x-ray diffraction and scanning electronic microscopy. The current-voltage characteristics of the solar cells in the dark and under AM1.5 illumination at 300 K and 77 K are discussed. The conversion efficiency of p-InAs/n-sub InAs cells decreases when the thickness of the p-type film changes from 1.7 μm to 3.5 μm, which is caused by the reduced effective photons near p?n junction. The p-InAs/n-InAs/n-sub InAs solar cell with the conversion efficiency of 7.43% in 1-2.5 μm under AM1.5 at 77 K is obtained. The short circuit current density increases dramatically with decreasing temperature due to the weakened effect of phonon scattering. 相似文献
948.
949.
950.