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运用多种密度泛函理论 (DFT)和从头算 (abinitio)方法研究了草酰胺顺、反异构体的分子几何构型 ,结果表明Beck88交换函数与LYP非局域相关函数形成杂化的DFT方法B3LYP与MP2方法计算结果比较吻合。在此基础上选择B3LYP方法对草酰胺分子电子结构、红外光谱和前线分子轨道组成进行了系统研究 ;与实验事实对比分析了气态草酰胺分子中配位原子的反应活性 相似文献
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利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物,并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应,以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现:高压下随着温度的升高,反应产物中出现再结晶石墨,其晶化程度逐渐提高;但没有出现再结晶六角氮化硼,也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下,石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散,它们与水高压反应时,能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象,但都没有形成B-C-N晶化结构。 相似文献
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胡长松 《应用泛函分析学报》2007,9(2):153-157
设E是Banach空间,T∶E→2E*是极大单调算子,T-10≠ф.令x0∈E,yn=(J λnT)-1xn en,xn 1=J-1(αnJxn (1-αn)Jyn),n0,λn>0,αn∈[0,1],文章研究了{xn}收敛性. 相似文献
117.
通过两个积分 (一个是不定积分 ,一个是定积分 )及一个极限 ,说明如何灵活使用积分法解决积分问题 ,方法灵活、巧妙 ,适用范围广 . 相似文献
118.
本基于对风险项目及其“孪生证券”风险和收益特性的分析,认为真正的“孪生证券”实际中很难存在,进而提出利用“近似孪生证券”与无风险证券构造资产组合来复制实物期权收益特征,利用无风险套利分析确定项目实物期权价值的方法。但考虑到管理人因素造成的实物期权内部风险特征的不可复制性,本进一步提出利用“确定性等值”将内部风险价值V1具体化,从而实现对“近似孪生证券”方法进行修正。 相似文献
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Thin films of oxide materials are playing a growing role as critical elements in optoelectronic devices and nanoscale devices. In this work, thin films of some typical oxides such as WO3, Ga2O3 and SrTiO3 were investigated. We present measurements of those films, using various optical techniques like photoconductivity transients over a wide time range and photo-Hall measurements. Analysis of the photo-Hall and photoconductivity data permits the determination of the contribution to the photoconductivity made by the carrier mobility and concentration. A model for dispersive carrier transport was proposed to explain the relaxation of the photoconductivity in oxide thin films. In addition, photoluminescence characterization was used to study microstructures and energy band in oxide thin films. The broad emission from oxide host, consisting of several band peaks, was likely due to a recombination process with several possible paths. The dependence of the luminescent intensity on the annealing atmosphere was associated with the presence of oxygen vacancies. It is suggested that our optical analysis efforts have improved the understanding of oxide thin films, and this should lead to the necessary advancements in a variety of devices. 相似文献