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991.
992.
针对谐振式微腔的应用需求, 提出了一种新型三环谐振式微腔结构, 类似于原子系统中的电磁诱导透明, 耦合诱导透明(CRIT)效应在一个新的光学微腔系统中已被实验证明. 该结构在硅基上由三个尺寸完全一样的微环腔组成, 通过理论分析、制备和实验测试, 能够观察到CRIT现象, 其频谱具有低群速的狭窄透明峰, 与光栅耦合器的耦合效率为34%, 并且谐振器的品质因数达到了0.65×105, 同时, 失谐的谐振波长可以通过温度变化来控制, 这在旋转传感、光滤波器、光存储器等方面的应用有重要意义. 相似文献
993.
994.
多阶段库存管理是供应链研究的重要课题,其中独立需求的订购策略问题,现有文献一般设定计划期内各阶段需求且计划执行过程中需求不再变化,给出了相应的算法.本文选择EOQ模型作为基本订购策略,研究下面一类需求变化的多阶段订购策略问题:给定费用参数(物资单价、一次订货费用、单位库存保管费用)的情况下,在订购计划执行过程中,在阶段i(1<i<m)需要调整阶段m的需求,而其它阶段的需求不变,订购策略如何调整,使得库存总费用最低. 相似文献
995.
996.
应用双中心原子轨道强耦合方法研究了H+与里德伯态原子Li(5d)碰撞的电荷转移过程,计算了电子转移到氢原子各个n,l壳层(这里n为主量子数,l为角量子数)的态选择截面.结果发现,电荷转移的末态主要分布在与初态电子能量5d接近的n=4—7能级,该分布随碰撞能量的变化不大;但俘获末态的l分布对入射离子能量很敏感:在1 keV左右的低能时主要分布在高l的末态,随着碰撞能量增加峰值逐渐向低l方向移动,并在l=
关键词:
电子俘获过程
双中心原子轨道强耦合方法
态选择截面 相似文献
997.
基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系,在中到高辐射剂量下诱导陷阱电荷密度趋于饱和,模型可以很好地描述这两种陷阱电荷与辐射剂量之间的关系.最后讨论了低剂量辐照下,两种辐射诱导陷阱电荷密度之间的关系,认为低辐射剂量下两者存在线性关系,并用实验验证了理论模型的正确性.该模型为辐射环境下MOS器件辐射损伤提供了更
关键词:
MOS结构
辐射
界面陷阱
氧化层陷阱 相似文献
998.
Characterization of a velocity-tunable 87Rb cold atomic source with a high-speed imaging technology 下载免费PDF全文
This paper has developed and characterized a method to produce a velocity-tunable 87 Rb cold atomic source for atomic interferometry application.Using a high speed fluorescence imaging technology,it reports that the dynamic process of the atomic source formation is observed and the source performances including the flux and the initial velocity are characterized.A tunable atomic source with the initial velocity of 1.4~2.6 m/s and the atomic source flux of 2 × 10 8 ~ 6 × 10 9 atoms/s has been obtained with the built experimental setup. 相似文献
999.
1000.
Silicon nanowires grown from Au-coated Si substrate 总被引:1,自引:0,他引:1
Xing Y.J. Yu D.P. Xi Z.H. Xue Z.Q. 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2003,76(4):551-553
Amorphous Si nanowires were grown on an Au-coated Si substrate by heat treatment at 1000 °C under an H2 atmosphere. The nanowires have a length of several tens of a micron and a diameter of 10–20 nm. The growth mechanism of the
nanowires was investigated and explained with a solid–liquid–solid model.
Received: 11 July 2002 / Accepted: 7 July 2002 / Published online: 4 December 2002
RID="*"
ID="*"Corresponding author. Fax: +86/10-62751615, E-mail: yudp@pku.edu.cn 相似文献