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41.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
关键词: 相似文献
42.
In the presence of an applied static and uniform magnetic field, a cylindrical Kadomtsev-Petviashivili equation is derived for a relativistic electromagnetic solitary wave propagating in collisionless plasma consisting electrons, positrons, and ions in the case of weak relativistic limit. This equation is solved in a stationary frame to obtain explicit expression for the velocity, amplitude and width of solitons. The amplitude of the solitary wave has a maximum value at a critical αc of the ratio of the ion equilibrium density to the electron one, and it increases as the applied magnetic field becomes larger. 相似文献
43.
Based on solving the couple mode equation numerically, the characterization of the signal power on the gate power was analyzed. And the relationship of the tolerance of the grating period and the bulk temperature on the interaction length was analyzed. 相似文献
44.
45.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
46.
强色指数的一个新的上界 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了图的强色指数的一个新的上界,并指出几类恰好达到该上界的图,从而改进了Erodoes和Nesetri的强色指数猜想,在某种意义上证明了这个猜想。 相似文献
47.
数码相机原理与系统设计研究 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了数码相机的工作原理 ,分析了数码相机的系统结构 ,提出了设计数码相机的处理流程。典型的数码相机系统有镜头、闪光灯、光学取景器、LCD显示屏、图像数据存储扩展设备接口、图像数据传输接口、供电系统以及核心处理器等八个主要模块。数码相机的数据流向从图像传感器开始 ,止于图像数据的存储和传输。数据流的处理主要包括模数转换、光学黑电平钳位、针对镜头的边缘畸变的运算修正、坏像素处理、白平衡处理、伽马校正、色彩合成处理、边缘检测 (锐度检测 )和伪彩色检测 (伪彩色抑制 )、JPEG压缩和图像存储器等模块 相似文献
48.
为了更好地理解和应用样本分位数的极限分布,利用Slutsky定理,推导了样本分位数的极限分布. 相似文献
49.
薛儒英 《浙江大学学报(理学版)》1991,(2)
本文讨论了半线性椭圆方程△u+f(u)=0在三种边界条件下正解的存在性和唯一性,给出了正解存在和唯一的一些条件. 相似文献
50.
Weimin Xue 《中国科学A辑(英文版)》1997,40(7):673-679
A ringR is left co-semihereditary (strongly left co-semihereditary) if every finitely cogenerated factor of a finitely cogenerated
(arbitrary) injective leftR-module is injective. A left co-semihereditary ring, which is not strongly left co-semihereditary, is given to answer a question
of Miller and Tumidge in the negative. If
R
U
S
defines a Morita duality,R is proved to be left co-semihereditary (left semihereditmy) if and only ifS is right semihereditary (right co-semihereditary). Assuming thatS⩾R is an almost excellent extension,S is shown to be (strongly) right co-semihereditary if and only ifR is (strongly) right co-semihereditary.
Project supported by the National Natural Science Foundation of China. 相似文献