Integral-Type Darboux Transformations for the mKdV Hierarchy with Self-Consistent Sources

We present integral-type Darboux transformation for the mKdV hierarchy and for the mKdV hierarchy withself-consistent sources. In contrast with the normal Darboux transformation, the integral-type Darboux transformationscan offer non-auto-Backlund transformation between two (2n 1)-th mKdV equations with self-consistent sources withdifferent degrees. This kind of Darboux transformation enables us to construct the N-soliton solution for the mKdVhierarchy with self-consistent sources. We also propose the formulas for the m times repeated integral-type Darbouxtransformations for both mKdV hierarchy and mKdV hierarchy with self-consistent sources.     

介质极化的瞬时相位与振幅

求解电子运动的二阶微分方程，在旋转波近似下，介质在外场突然变化时产生的瞬态感应极化与外场同频，但相位总是落后，最大落后为π/2；振幅大小与初态有关，随时间按指数规律衰减，衰减快慢由介质的阻尼系数决定。     

着生刚毛藻处理富营养化湖泊水

分别研究了室内和露天条件下在鹅卵石上着生的刚毛藻Cladophora oligoclona对富营养化湖水中氮(N)和磷(P)的净化效果及其对水华藻类生长的抑制能力,同时对处理后湖水的藻类生长潜力进行了测试.结果显示,刚毛藻在原始浓度总氮(TN)10.512 mg/L和总磷(TP)0.856 mg/L的富营养化湖水中能维持正常的生长代谢,并能有效去除水体中的N、P养分.在室内12 d培养期间,刚毛藻对TN、氨氮(NH4-N)、TP和无机磷(PO4-P)的平均去除率分别达53.13%,44.40%,35.71%和30.53%.在室外6 d培养期间,刚毛藻对TN、NH4-N、TP和PO4-P的日均减少量分别为1.643 5±0.413 9,1.350 3±0.352 4,0.113 7±0.041 1,0.074 2±0.033 0 mg/L,总去除率分别高达93.81%,94.62%,79.67%和77.66%.刚毛藻对水华微囊藻生长的抑制率达99.63%,处理后湖水的藻类生长潜力较原湖水下降了40.17%.据此认为,刚毛藻在净化污染水体、修复受损湖泊及防治水体富营养化等方面具有潜在的应用前景.     

关于矩阵和算子迹的一组不等式

给出关于半正定矩阵迹和正算子迹的一组不等式,得到与邱贤忠关于实数的不等式的类似结果.     

关于态射的Drazin逆

给出了态射的Drazin逆存在的条件及显式表达式，改进并推广了[1]、[2]与[3]中的一些主要定理。     

群胚上的Dirac结构及泊松约化

本文详细讨论了李双代数胚中的Dirac结构、群胚上的Dirac结构。利用Dirac结构的特征对的概念,给出了作用不变Dirac结构,拉回Dirac结构等概念的新的刻画。最后利用Dirac结构的有关性质,讨论了泊松齐性空间和泊松群胚作用的约化。     

S3上阿诺德弦猜想中的变分方法

本文使用变分方法证明了三维标准切触球的标准勒让德扭结，至少存在一个弦连结适应于标准切触结构的任何选定切触形式，这部分证明了著名的阿诺德弦猜想。     

Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…