2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二甲氨基苯胺激光热透镜光谱法测定微量钯

基于2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二甲氨基苯胺(5-Br-PADMA)与钯(II)的高选择性显色反应,建立了激光热透镜光谱法测定微量钯的新方法。在0.6 mol/L HClO4介质中,于室温下放置10 min,Pd(II)与5-Br-PADMA反应形成稳定的青蓝色配合物,其最大吸收波长位于611 nm处,与所用He-Ne激光器输出波长632.8 nm能较好匹配。钯质量浓度在5~150 ng/mL范围内与激光热透镜信号强度呈线性关系,检出限为1.6 ng/mL,以工作曲线的斜率计算,灵敏度较光度法提高115倍。常见金属离子及10倍量的铂、铑、铱、钌、锇和金等贵金属离子不干扰钯的测定,方法具有良好的选择性。本法应用于催化剂、矿石和合金中钯的测定。     

高效液相色谱-串联质谱法测定土壤中11种离子液体阳离子

建立了高效液相色谱-串联质谱检测土壤中11种离子液体(ILs)阳离子的分析方法。样品经乙腈+0.2 mol/L NH4Cl提取,Strata-X-CW萃取小柱净化,AgilentSB-C18(1.88μm,2.1 mm×50 mm)色谱柱分离,以乙腈+体积分数0.1%的甲酸水溶液为流动相进行梯度洗脱,以电喷雾正离子模式电离,多反应监测模式检测,外标法定量。11种ILs阳离子的质量浓度在2~500 ng/mL范围内呈良好线性(r2>0.995),方法检出限为0.72~1.95 ng/g,定量限为2.38~6.44 ng/g。以土壤为基质,加标回收率为78.0%~107.6%,相对标准偏差为0.3%~8.6%,11种ILs阳离子在12 min内实现基线分离。方法满足土壤样品中ILs阳离子的检测要求。     

水中氯化物检测及样品前处理技术研究进展

综述了近年来我国水中氯化物检测及样品前处理技术的研究进展。样品前处理技术包括试剂法和离子交换树脂法;检测方法包括常规化学分析法(容量法和分光光度法)、电分析方法(电位滴定法和电化学法)、离子色谱法、光谱法(原子吸收光谱法和共振光散射光谱法)、连续流动注射法等(引用文献37篇)。     

分析测试新成果(230~237)2种常见燃油添加剂对汽油燃烧烟尘的影响

采用气相色谱-质谱(GC-MS)联用技术,根据汽油原样中的特征成分,对未加入和分别加入汽油燃油精、海龙燃油宝的汽油燃烧烟尘进行对比分析.结果表明,汽油燃油精的加入会使汽油燃烧烟尘中各类特征成分的百分含量有所变化,但对谱图和特征成分的影响较小;而海龙燃油宝的加入对汽油燃烧烟尘的谱图、特征成分及其个数、各类特征成分的百分含量均产生较大影响.结果为火灾物证鉴定提供一定的参考依据.     

磁阱等离子体源离子注入研究

本文描述在磁阱装置中利用旋转等离子体的概念给浸泡于等离子体中的样品施加直流高压的实验工作,工件电压高达-22kV,文中还对相关物理问题进行了定性分析。     

银基带再结晶织构的EBSD分析

本文采用EBSD（电子背散射衍射）等分析手段对{110}〈110〉取向的银基带的织构形成机理进行了深入研究，发现了冷轧织构与不同退火温度下再结晶织构间的取向转变关系，研究发现，{110}面附近且非{110}〈211〉取向的冷轧织构组分，900℃退火可以转变为强的{110}〈110〉织构．织构转变中有孪晶形成，{110}〈110〉和{110}〈114〉取向互为孪晶关系．     

GaAs2×2Mach-Zehnder光波导开关调制器

报道了GaAs2×2非对称Mach-Zehnder光波导开关调制器的研制结果,分析了这种开关的工作原理和产生串音的因素.采用两个非对称X型耦合器代替传统的Y分支耦合器,得到了性能良好的X型3dB耦合器.λ=1.15μm时,器件的串音比小于-22.4dB,开关电压约1.2V.     

子晶格干涉畴尺寸不同对X射线衍射积分宽度与积分强度的影响

研究了子晶格干涉畴尺寸不同情况下的Ｘ射线衍射问题，给出了衍射峰积分宽度与子晶格干涉畴尺寸的关系表达式，证明出子晶格干涉畴尺寸不同不影响Ｘ射线衍射各峰的相对积分强度，提供了一种结构缺陷的分析方法。 关键词：     

覆银银电极上哌啶分子的表面增强拉曼散射研究

通过改进电极修饰方法,在粗糙银电极上沉积银纳米颗粒,得到了哌啶分子吸附在覆银银电极上的高质量SERS谱,并研究了电位对哌啶分子在这种覆银银电极上SERS光谱的影响。实验表明,沉积有银纳米颗粒的粗糙银电极是一种新的高效SERS活性基底,分析并解释了覆银银电极能产生极强的增强效应的可能原因。     

形变超晶格Si/Ge的能带结构

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)₆/(Ge)₄和(Si)₈/(Ge)₂超晶格在Si_1-xG 关键词：