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121.
利用原位傅里叶变换红外光谱 (FTIR)技术对甲醇在γ Al2 O3,CeO2 以及Pd/Al2 O3,Pd/CeO2 催化剂上的吸附和分解行为进行了研究。综合考虑了载体和活性组分的作用 ,分析了甲醇在不同载体负载Pd催化剂上可能的分解途径。在Pd/CeO2 催化剂上 ,活性组分和载体对甲醇分解的过程表现出了一种协同效应。 相似文献
122.
123.
An interesting reflection phenomenon in a dual metal grating (DMG) structure is studied, which is related to the competition between Fabry-Prot (F-P) resonance effect and evanescent-field coupling effect inside the gap between the two composing single metal gratings. This competition leads to high angular sensitivity in response to the refractive index variation of the sample solution in the gap. A reflex optical sensor with high sensitivity based on DMG for detecting the change in refractive index is proposed and its performance theoretically is discussed. 相似文献
124.
125.
Songqing Zhao Yuzi Liu Shufang Wang Zhen Liu Ze Zhang Huibin Lu Bolin Cheng 《Applied Surface Science》2006,253(2):726-729
B-doped ZnO thin films have been fabricated on fused quartz substrates using boron-ZnO mosaic target by pulsed-laser deposition technique, and the mechanical properties have been studied by nanoindentation continuous stiffness measurement technique and transmission electron microscope (TEM). Nanoindentation measurement revealed that the hardness of B-doped ZnO films, 9.32 ± 0.90 to 12.10 ± 1.00 GPa, is much greater than that of undoped ZnO films and very close to that of traditional semiconductor Si. The mean transmittance (%) is larger than 81% in the visible range (380-780 nm) for all the films, and the Hall effect measurement showed that the carrier density is around 2 × 1020 cm−3 and the resistivity lower than 3 × 10−3 Ω cm. TEM characteristics show undoped thin films have more amorphous area between grains while the B-doped ZnO films have thin grain boundaries. We suggest that the grain boundaries act as the strain compensation sites and the decrease in thickness of grain boundaries enhances the hardness of the B-doped ZnO films. 相似文献
126.
Wen-Yin Chen Bo-Jung Chen Hung-Hsin Shih Chien-Hong Cheng 《Applied Surface Science》2006,252(19):6594-6596
A model organic light-emitting diodes (OLEDs) with structure of tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/N,N′-diphenyl-N,N′-bis[1-naphthy-(1,1′-diphenyl)]-4,4′-diamine (NPB)/indium tin oxide (ITO)-coated glass was fabricated for diffusion study by ToF-SIMS. The results demonstrate that ToF-SIMS is capable of delineating the structure of multi-organic layers in OLEDs and providing specific molecular information to aid deciphering the diffusion phenomena. Upon heat treatment, the solidity or hardness of the device was reduced. Complicated chemical reaction might occur at the NPB/ITO interface and results in the formation of a buffer layer, which terminates the upper diffusion of ions from underlying ITO. 相似文献
127.
A probabilistic teleportation scheme for atomic state via cavity QED [Phys. Rev. A 70 (2004) 054303] is revisited and accordingly some improvements are made. 相似文献
128.
研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度φeff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度φeff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δφ呈指数关系. 相似文献
129.
130.
黄龙病是柑桔果树的毁灭性病害,对柑桔产业危害巨大。基于模型平均理论,探讨联用可见与近红外光谱技术,提高柑桔黄龙病快速无损检测精度的可行性。采集记录柑桔叶片的可见与近红外光谱,经实时荧光定量PCR鉴别黄龙病叶片为轻度、中度和重度三类,缺素和正常样品也经PCR鉴定,共五类叶片。基于光谱直接拼接、光谱归一化拼接和模型平均三种不同策略,结合偏最小二乘判别分析(PLS-DA)和多元线性回归(MLR)方法,分别建立了柑桔黄龙病可见与近红外光谱联用无损检测模型。经比较发现,光谱联用模型的检测精度均高于可见或近红外单一检测模型,且经导数处理后的光谱直接拼接PLS-DA模型检测精度最高,模型预测相关系数为0.97,预测均方根误差为0.67,模型总误判率为3%,其原因是导数消除了光谱的基线漂移。光谱归一化拼接的PLS-DA模型检测精度次之,模型总误判率为7%。可见与近红外模型平均的检测精度最低,模型总误判率为7.2%。实验结果表明,联用可见与近红外光谱,结合光谱拼接方法,提高了柑桔黄龙病无损检测模型的检测精度,研究可为其他领域的光谱联用提供参考依据。 相似文献