3 GPa熔融盐固体介质三轴高温压力容器的轴压摩擦力标定

 在温度标定和围压标定的基础上,采用轴压循环方法,对3 GPa固体介质三轴高温高压实验系统的轴压摩擦力进行了标定,分析了围压、温度、轴向位移速率、装样方式（盐套类型）等实验条件对轴压摩擦力的影响。结果表明：静摩擦力、挤压摩擦力和滑动摩擦力3种轴压摩擦力对轴向应力的影响不同,其中静摩擦力和挤压摩擦力对轴向应力的影响很小,影响应力精度的主要是滑动摩擦力。静摩擦力及滑动摩擦力与围压正相关;静摩擦力与轴向位移速率正相关,但受其影响较小,滑动摩擦力不受其影响;静摩擦力和滑动摩擦力与温度负相关,并且受其影响较显著;盐套类型对轴压摩擦力的影响较大,当实验条件接近盐套熔点时,轴压摩擦力显著降低,当样品周围的盐套处于熔融状态时,轴压摩擦力最小。基于此,确定了标定轴压摩擦力的具体步骤,并对角闪岩的应力-应变曲线进行了轴压摩擦力标定。对比轴压摩擦力校正前、后的应力-应变曲线发现,经过轴压摩擦力校正的应力-应变曲线能更好地反映样品的实际变形情况。     

Bi2WO6纳米晶的制备、表征及光催化性能

以硝酸铋、钨酸钠等为原料,利用水热法在150℃下反应24h得到Bi2WO6纳米晶。X射线粉末衍射结果表明,所制备的Bi2WO6属于正交晶系,晶胞参数为a=5.457,b=16.435及c=5.438。XPS结果表明所制造的Bi2WO6纯度较高。研究了分别以水、N,N-二甲基甲酰胺、乙二醇为溶剂时所制备Bi2WO6样品在可见光激发下对罗丹明B的降解活性,结果表明,以乙二醇为溶剂时,Bi2WO6光催化活性最佳,主要是由于在乙二醇中制备的Bi2WO6分散性好,粒径小,对紫外-可见光具有较大波长范围的吸收所致。另外,研究了以水为溶剂时溶液pH及添加表面活性剂等对所制备Bi2WO6光催化活性的影响,结果表明,反应温度为140～150℃,pH在1.0附近及添加SDS后所制备Bi2WO6光催化活性较佳。荧光光谱分析发现,添加表面活性剂的样品发射荧光的强度较弱,表明载流子复合程度低,因而光催化效率高。     

射流注入角对平板气膜冷却特性影响的实验研究

本文对不同射流注入角的典型单排孔冷却结构的平板气膜冷却特性进行了实验研究,研究对象为轴线与主流来流方向分别成30°、60°、90°的射流孔板,对它们在吹风比为0.5、1.0、1.5条件下的射流孔下游的绝热气膜冷却效率分布特性进行了分析.在吹风比M=0.5时,三个射流注入角条件下近孔区域都能形成较好的冷气覆盖效果;M=1.0时,三者的下游横向平均冷却效率基本相同;M=1.5时,注入角60°的条件下冷却效果最好.     

中药柴胡中K、Ca、Zn、Fe和Mn含量测定及清除自由基机制分析

研究了柴胡中金属元素的作用为治疗呼吸系统疾病提供依据.选取柴胡粉碎、干燥至恒重,采用HNO3-HClO4湿法消化,用原子吸收分光光度计测定宏量元素钙、钾和微量元素铁、锰、锌的含量.测定结果表明,柴胡中含有丰富的金属元素.用原子吸收分光光度法测定中草药中金属元素含量,方便迅速.结果准确,测定结果为临床上合理利用柴胡清除自由基、预防和治疗呼吸系统疾病提供科学依据,也为大力开发、利用中药柴胡提供了有用的数据.     

新水溶性卟啉季铵盐的合成及与锌的显色反应研究

合成了-种新型水溶性卟啶卟啉季铵盐即溴化5-[(4-N-芐基)吡啶基]10,15,20-(4-N-吡啶基)卟啉,研究了该试剂与锌的显色反应.在pH2.5的邻苯二甲酸氢钾-盐酸缓冲溶液中,形成了配位比为1:1的配合物,基最大吸收波长λ=424nm,表现摩尔吸光系数ε=2.03×105L·mol-1·cm-1.在0-1.2μg/10mL范围内吸光度与锌质量浓度关系符合比耳定律,该法灵敏度高、选择性好.本法应用于环境水试样中痕量锌离子的分析,结果令人满意.     

氯铝酸离子液体的酸性及其催化烷基化反应研究

分别采用吡啶探针和乙腈探针红外光谱法研究了氯铝酸离子液体的酸性,结合固体酸表征方法,研究了离子液体的酸性对吡啶探针各振动模式的影响。发现当氯铝酸离子液体AlCl₃的摩尔分数x为0.4～0.5时,离子液体显弱Lewis酸性,强碱性吡啶探针分子能很好地表征离子液体的酸性,而弱碱性乙腈探针分子只适用于表征酸性较强的离子液体。考察了氯铝酸离子液体酸强度对苯与长链烯烃烷基化反应的影响,结果发现,AlCl₃的摩尔分数x≤ 0.5时,离子液体没有催化活性;x>0.55时,随着离子液体酸性的增强,烯烃转化率升高,但2位烷基苯选择性下降。结合离子液体的酸强度对烷基化反应机理进行初步分析认为具有催化活性的物质是强Lewis酸Al₂Cl-₇。     

马钱子碱与牛血清白蛋白相互作用的研究

应用荧光光谱和紫外光谱法研究了马钱子碱与牛血清白蛋白(BSA)的结合反应,求得它们之间的结合常数K_A和结合位点数n分别为K_A=6.3×103,n=0.94(27 ℃);K_A=7.7×103,n=0.97(37 ℃)。根据Frster非辐射能量转移理论求出了马钱子碱与BSA之间的结合距离为3.99 nm(27 ℃)和4.21 nm(37 ℃)。探讨了马钱子碱的荧光猝灭机理,结果表明马钱子碱能够插入BSA内部形成基态复合物导致内源荧光猝灭,猝灭机理主要是静态猝灭和非辐射能量转移。根据热力学参数确定马钱子碱与BSA之间的作用力类型主要为疏水性相互作用。     

激光刻蚀银纳米粒子岛膜的SERS特性

利用激光刻蚀的方法,通过改变激光脉冲的能量,制备出一系列的纳米金属银胶体。将银胶体沉积在铝基底上形成一层银岛膜。用紫外—可见吸收光谱、SEM及拉曼光谱对银胶体和银岛膜进行了表征。研究结果表明,刻蚀所用激光脉冲的能量影响胶体中银颗粒的分布;不同能量下制备的胶体所形成的银岛膜具有不同的表面增强效果;该岛膜具有增强效果优异、制备简便等特点。     

高功率毫米波辐照鼠疼痛阈值及应激反应

 高功率8 mm波辐照时,大小鼠均产生热应激反应,依次经历平静期、警戒期、相持期和衰竭期。鼠的热痛阈值温度为(43.1±1.8) ℃,这一阈值与鼠的质量、初始温度、辐照功率密度等无关。 辐照3 s时：辐照功率密度为3.5 W/cm2时体表温升为(8.4±1.0) ℃;辐照功率密度为7.0 W/cm2时温升为(21.1±3.0) ℃。实验还测定了警戒期持续时间,结果表明动物应激反应的剧烈程度与警戒期持续时间相关。建立了小鼠警戒期持续时间与小鼠体表面积、有效辐照面积、辐照功率密度之间的关系,并将这一实验结果推广到大鼠。     

MgO(001) barrier based magnetic tunnel junctions and their device applications

Spintronics has received a great attention and significant interest within the past decades,and provided considerable and remarked applications in industry and electronic information etc.In spintronics,the MgO based magnetic tunnel junction(MTJ) is an important research advancement because of its physical properties and excellent performance,such as the high TMR ratio in MgO based MTJs.We present an overview of more than a decade development in MgO based MTJs.The review contains three main sections.(1) Research of several types of MgO based MTJs,including single-crystal MgO barrier based-MTJs,double barrier MTJs,MgO based MTJs with interlayer,novel electrode material MTJs based on MgO,novel barrier based MTJs,novel barrier MTJs based on MgO,and perpendicular MTJs.(2) Some typical physical effects in MgO based MTJs,which include six observed physical effects in MgO based MTJs,namely spin transfer torque(STT) effect,Coulomb blockade magnetoresistance(CBMR) effect,oscillatory magnetoresistance,quantum-well resonance tunneling effect,electric field assisted magnetization switching effect,and spincaloric effect.(3) In the last section,a brief introduction of some important device applications of MgO based MTJs,such as GMR & TMR read heads and magneto-sensitive sensors,both field and current switching MRAM,spin nano oscillators,and spin logic devices,have been provided.