Controllable Si−C Bond Activation Enables Stereocontrol in the Palladium‐Catalyzed [4+2] Annulation of Cyclopropenes with Benzosilacyclobutanes

A novel and unusual palladium‐catalyzed [4+2] annulation of cyclopropenes with benzosilacyclobutanes is reported. This reaction occurred through chemoselective Si?C(sp²) bond activation in synergy with ring expansion/insertion of cyclopropenes to form new C(sp²)?C(sp³) and Si?C(sp³) bonds. An array of previously elusive bicyclic skeleton with high strain, silabicyclo[4.1.0]heptanes, were formed in good yields with excellent diastereoselectivity under mild conditions. An asymmetric version of the reaction with a chiral phosphoramidite ligand furnished a variety of chiral bicyclic silaheterocycle derivatives with good enantioselectivity (up to 95.5:4.5 er). Owing to the mild reaction conditions, the good stereoselectivity profile, and the ready availability of the functionalized precursors, this process constitutes a useful and straightforward strategy for the synthesis of densely functionalized silacycles.     

A Phototheranostic Strategy to Continuously Deliver Singlet Oxygen in the Dark and Hypoxic Tumor Microenvironment

Continuous irradiation during photodynamic therapy (PDT) inevitably induces tumor hypoxia, thereby weakening the PDT effect. In PDT‐induced hypoxia, providing singlet oxygen from stored chemical energy may enhance the cell‐killing effect and boost the therapeutic effect. Herein, we present a phototheranostic (DPPTPE@PEG‐Py NPs) prepared by using a 2‐pyridone‐based diblock polymer (PEG‐Py) to encapsulate a semiconducting, heavy‐atom‐free pyrrolopyrrolidone‐tetraphenylethylene (DPPTPE) with high singlet‐oxygen‐generation ability both in dichloromethane and water. The PEG‐Py can trap the ¹O₂ generated from DPPTPE under laser irradiation and form a stable intermediate of endoperoxide, which can then release ¹O₂ in the dark, hypoxic tumor microenvironment. Furthermore, fluorescence‐imaging‐guided phototherapy demonstrates that this phototheranostic could completely inhibit tumor growth with the help of laser irradiation.     

Li+掺杂浓度对Y2O3∶Eu3+发光影响的理论

在团簇近似的基础上,利用分子动力学和密度泛函计算相结合的手段,在Y2O3∶Eu3 中研究了随Li 掺杂浓度的变化,缺陷形成情况以及C2位处Y-O键长的变化对电子态密度的影响.结果表明,随着Li 掺杂浓度的增加,与C2格位相关团簇的Y-O键平均键长出现了增加-减小-增加的变化趋势,这可能是引起此类材料发光强度随Li 浓度出现类似变化的原因.     

共掺杂效应对Y2O3:Eu3+和Gd2O3:Eu3+发光影响的理论研究

通过在Y2O3:Eu3 和Gd2O3:Eu3 发光材料中掺入Li ,Mg2 ,Al3 等离子能有效地提高材料的发光强度,根据分子动力学和密度泛函计算的结果,认为这些离子多倾向于形成C2格位附近的间隙缺陷对,导致部分Y(Gd)-O的键长增加,提高了材料的量子效率的同时使得激发峰位出现红移,是引起材料发光增强的一个原因.     

Chiralcel OD-RH手性柱拆分卡维地洛对映体

采用Ch iralcelOD-RH(纤维素3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)手性固定相高效液相色谱法研究了乙腈-高氯酸钠缓冲盐体系对卡维地洛的手性拆分情况,讨论了流动相的各个因素(有机相的种类和比例、缓冲盐浓度、酸度等)对手性拆分的影响。在乙腈-高氯酸钠缓冲盐(pH 5.5,50 mmol/L)的体积比为35∶65的色谱条件下,卡维地洛对映体获得了基线分离。     

无内热激光器运转对抽运光光强的需求条件研究

研究了无内热激光器和激光放大器运转时对抽运光的需求条件.运用激光器的速率方程理论,给出了抽运光所应满足条件的表达式.无内热激光运转时,不仅要求抽运光光强要大于阈值条件,而且要大于某个最小抽运光强(与增益材料性质、抽运光波长、激光波长等有关).以掺镱的KY(WO4)2晶体为无内热激光器的放大介质,计算了抽运光光强应满足的空间分布条件.要使激光器无内热运转,抽运光光强需随激光光强的增大而相应减小.对于无内热激光器,抽运光光强的空间分布与谐振腔前后镜的反射率和增益介质长度密切相关,在谐振腔输出耦合镜反射率不是太低的情况下,腔内抽运光强需近似为均匀分布.     

大功率高温超导滤波器的设计与功率测试

本文在双面YBCO高温超导薄膜上设计并制备了两节大功率超导滤波器,根据滤波器功率承载能力与最大电流密度之间的关系,减小电流密度和分散电流密度的分布是提高功率承载能力的关键.本文采用增加超导谐振器尺寸、优化几何结构及改进馈线耦合方式的方法,设计了两节2 GHz频段梭型谐振器结构的滤波器.设计及测量结果显示了馈线结构及谐振器几何尺寸优化程度对超导滤波器功率承载能力有不同程度的影响,说明了在大功率超导滤波器设计中应选用无结点间隙耦合式馈线以抑制电流密度的聚集.采用优化后的谐振器结构制备的梭型两节超导滤波器经测试功率承载能力为2 W.超导滤波器的尺寸为25×12 mm LaAlO3基片,中心频率2.022 GHz,相对带宽为2.4%.同时给出了超导滤波器功率测试的结构和方法.     

平行排列液晶器件的波前调制特性

设计了一种新型的平行排列液晶相位调制器(LC PM),可在纯相位的模式下进行相位调制,研究了液晶相位调制器的光学特性,理论上给予了分析．对畸变波前进行了调制,在1 cm2的校正面积上,调制后的准确度PV(peak to valley)值接近λ／15(λ=0.6328 μm),RMS(Root Means Square)可达到λ／100,斯特列尔比SR (Strehl Ratio)达到0.989．改变了传统的扭曲向列液晶器件难于进行纯相位调制和得到高准确度调制的缺点,达到了理想的效果.     

PDT光敏剂HA在不同液相体系下的光谱特性研究

为了对候选光敏剂竹红菌甲素(HA)进行改性并保持其优异的敏化特性,对HA的光谱特性和激发态性质作了进一步的指认。系统研究了HA在不同液相体系下的吸收和荧光光谱,对指认HA的光谱和电子跃迁的机制提出了新的依据,结果表明,吸收带I产生于π-π*跃迁,吸收带Ⅱ和Ⅲ产生于P-π共轭所导致的L→aπ跃迁的电子振动结构;荧光发射带I和Ⅱ是产生于同一跃迁机制S1(L,aπ)→S0的正常荧光的振动结构。     

双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收增强研究

采用真空镀膜工艺制备了具有762 nm和800 nm双缺陷模的含两个CdS缺陷层的TiO2/SiO2一维光子晶体,运用抽运探测技术测量了其双光子吸收。对于两个缺陷模,双光子吸收均得到很大的增强,其中缺陷模为800nm时的双光子吸收系数307 cm/GW要大于缺陷模为762 nm时的116 cm/GW,分别为单层CdS薄膜的48倍和18倍。这种双光子吸收的增强是由于光局域化导致一维光子晶体缺陷层内的电场强度增大而形成的。通过传输矩阵法计算了一维光子晶体的内部场强,发现800 nm波长光入射时缺陷层内的电场强度要大于762 nm波长光入射时的电场强度值。