Piezoelectric activities and domain patterns of orthorhombic Ba(Zr,Ti)O3 ceramics

Ba(Zr_xTi_1?x)O₃ (0.025 ≤ x ≤ 0.065) ceramics were prepared by conventional solid-state reaction method. Crystalline structures were analyzed by X-ray diffraction. It was shown that all the Ba(Zr_xTi_1?x)O₃ (0.025 ≤ x ≤ 0.065) ceramics were of orthorhombic phase at room temperature. Piezoelectric activities and domain patterns were investigated and compared with those of BaTiO₃ ceramic. All the Ba(Zr_xTi_1?x)O₃ ceramics showed nearly the same d₃₃ values of about 265 pC/N and the same domain width of about 220 nm. By comparing the grain sizes and domain width of the Ba(Zr_xTi_1?x)O₃ ceramics with those of BaTiO₃ ceramic, it is speculated that the variation of domain width with grain sizes in orthorhombic Ba(Zr_xTi_1?x)O₃ ceramics may be different with that in tetragonal BaTiO₃ ceramic. Besides domain width, the effective inertia mass of domain wall is also considered to be a very important factor that impacts the piezoelectric activities of the Ba(Zr_xTi_1?x)O₃ ceramics.     

PMP泡沫的飞秒激光烧蚀及切割方法

对密度为90 mg/cm3的PMP泡沫材料的飞秒激光烧蚀结果进行了分析,推导出该材料在脉宽50 fs、波长800 nm、重复频率为1000 Hz的飞秒激光作用下的蚀除阈值为0.91 J/cm2（100个激光脉冲）,获得了烧蚀直径分别随激光功率、脉冲数及聚焦物镜数值孔径的变化规律。相同飞秒激光加工系统下,对比了铜箔上获得的烧蚀形状,确定了PMP泡沫材料本身的多孔洞及其分布不均匀是造成烧蚀区域的形状不规则的重要因素。PMP泡沫在较高能量或是较长时间的飞秒激光作用下,烧蚀区域发生碳化的原因是由热作用引发的。提出了一种基于激光束耦合的飞秒激光切割厚度大于1 mm的薄膜-泡沫材料的方法,并获得了切割厚度大于1.5 mm、切割侧壁与光束光轴夹角小于5、切割面整洁的薄片。     

非均匀磁场下14叶片5.8 GHz磁控管的三维数值模拟

频谱噪声的抑制问题一直是磁控管的研究重点。对14叶片5.8 GHz磁控管进行了三维建模,包括阴极、叶片、隔膜带、极靴和输出天线等。使用冷腔模拟得到了模腔体频率5.86 GHz。热腔模拟计算得到7个电子轮辐,说明管子在模正常工作。在某种极靴结构下,计算得到腔体中存在一个近似二次曲线的非均匀磁场分布。在阳极电压4.5 kV、非均匀磁场中心值0.289 T时,模拟得到输出频率5.891 GHz,阳极电流1.55 A,输出功率4.9 kW,电子效率70.3%的结果。输出频谱比较干净,抑制了非模式的工作,提高了工作效率。     

医用重离子回旋加速器引出系统设计

紧凑型回旋加速器作为重离子医学专用装置同步加速器的注入器,其引出系统设计所用的磁场为TOSCA模型计算磁场。通过单粒子轨道计算确定引出系统的元件类型及基本参数;通过多粒子跟踪确定最终的元件参数和束流参数。为了提高引出效率,改善引出束流品质,在引出位置磁场梯度较大的位置,安放了一块C型磁铁,以改善此处的磁场梯度。同时,为了消除此C型磁铁对主磁场的影响,在此区域安放了一对线圈。计算结果表明引出系统的设计能够保证引出束流的强度和品质符合同步加速器的要求。     

实验靶对半黑腔辐射源辐射温度的影响

间接驱动惯性约束聚变和高能量密度物理实验中使用黑腔作为强X射线辐射源,黑腔源靶的等效辐射温度受安装在辐射出口的实验用靶的影响而与单独进行辐射源特性研究时有所不同。通过对几种不同辐射输运靶对半黑腔辐射源的影响进行的实验研究发现,添加不同填充材料的输运管能够使测量到的黑腔辐射源的辐射温度升高3~8 eV。实验结果的统计显示,输运管越长,填充材料密度越大,辐射温度越高。     

一维无序体系电子跳跃导电研究

建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式.通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系,讨论了无序度对直流电导的影响.计算结果表明,无序体系的直流电导率随无序度的增加而减小;外加电场较小时,电导率相对较大,且出现一系列峰值,电压较大时,电导率反而较小;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小.计算结果和实验符合很好 关键词： 无序体系 电子隧穿 直流电导率     

电流型大面积PIN探测器

研制了灵敏区面积为40,50和60mm,耗尽层厚度为200—300μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器,并对其物理性能进行了测量.测试和应用表明,这些探测器性能稳定,漏电流符合使用要求.与市场上的大面积PIN半导体探测器相比,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式,但也可用于计数模式,而目前的商用产品仅适用于计数测量. 关键词： 半导体探测器 大面积 电流型     

三层流体界面内波的二阶Stokes解

以小振幅波理论为基础，利用摄动方法研究了三层密度成层状态下的界面内波，求得了三层成层状态下各层速度势的二阶渐近解及界面内波波面位移的二阶Stokes解.结果表明：一阶解为正弦波解，与传统线性理论的结果相一致；二阶解描述了界面波的二阶非线性修正及两界面波之间的非线性相互作用；一阶解及二阶解都依赖于各层流体的厚度及密度.Umeyama导出的理论结果为本文的特殊情形. 关键词： 三层密度成层流体 内波 二阶Stokes解 小振幅波理论     

Strong coupling in a microcavity LED

Thin films of polyelectrolyte/J aggregate dye bilayers with high absorption coefficient (6 nm thick with alpha approximately equal to 1.0 x 10(6) cm(-1)) inserted in an optical microcavity enable the cavity quantum electrodynamic strong coupling limit to be reached at room temperature with a coupling strength (Rabi splitting) of 265 +/- 15 meV. By embedding these films in a resonant cavity organic LED structure, we demonstrate the first emissive electrically pumped exciton-polariton device.     

(μ-L1)(μ-L2)十羰基合三锇电子光谱的含时从头计算

用从头计算(ab initio)方法,在HF/CEP-4G水平上,全优化计算了Os₃(CO)₁₀(μ-L1)(μ-L2) [L1,L2=H,Cl,Br,I]簇合物的的分子几何构型,在此基础上对这些簇合物的前线轨道进行了讨论,发现对于M—M键,p轨道虽有贡献,但以s,d轨道的贡献为主,同时从Cl→I,随着桥配体原子序的增大,Os₃(CO)₁₀(μ-L)₂类簇合物的HOMO与NHOMO轨道能量依次升高,而Os₃(CO)₁₀(μ-H)(μ-L)类簇合物只有HOMO轨道能量依次升高,而Os₃(CO)₁₀(μ-L)₂类簇合物的LUMO与HOMO的能量差Δε_L-H及LUMO与NHOMO的能量差Δε_L-NH都依次变小,可以预示,簇合物的电子光谱基谱带将红移。用TDHF计算了这些簇合物的电子吸收光谱。计算结构表明,簇合物Os₃(CO)₁₀(μ-H)₂(I)的跃迁主要为π→σ*和σ→σ*,对于其他几个簇合物Os₃(CO)₁₀(μ-H)(μ-L) [L=Cl,Br,I] 和Os₃(CO)10(μ-L)₂[L=Cl,Br],电子吸收峰主要都发生在σ→σ*的跃迁。从Cl→I,随着桥配体原子序的增大,簇合物的电子光谱基谱带红移,且光谱线强度逐渐减弱。