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61.
Al2O3 incorporated HfO2 films grown by atomic layer deposition (ALD) were investigated by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (HRXPS). The core level energy state of a 15 Å thick film showed a shift to higher binding energy, as the result of a silicate formation and Al2O3 incorporation. The incorporation of Al2O3 into the HfO2 film had no effect on silicate formation at the interface between the film and Si, while the ionic bonding characteristics and hybridization effects were enhanced compared to a pure HfO2 film. The dissociation of the film in an ultrahigh vacuum (UHV) is effectively suppressed compared to a pure HfO2 film, indicating an enhanced thermal stability of Hf-Al-O. Any dissociated Al2O3 on the film surface was completely removed into the vacuum by vacuum annealing treatment over 850 °C, while HfO2 contributed to Hf silicide formation on the film surface.  相似文献   
62.
Two new acetylxylosides,ent-manool-13-O-β-D-2′-acetylxylopyranoside(1)and entmanool-13-O-β-D-2′,4′-diacetylxylopyranoside(2)were isolated from Aster veitchianus.Their structures were elucidated by spectroscopic methods.  相似文献   
63.
A new type of Co-Ni-P coated strontium ferrite nanocomposite was prepared with electroless plating enhanced by ultrasonic wave at room temperature. The plating process was studied carefully. The morphology, crystal structure and microwave absorption properties of the Co-Ni-P coated powder were studied with field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), energy dispersive analysis of X-rays (EDX) and vector network analyzer. The results show that the strontium ferrite powder was successfully coated with Co-Ni-P alloy and possesses excellent microwave absorption properties. The maximum microwave loss of the composite powder reaches −44.12 dB. The bandwidth with the loss above −10 dB exceeds 13.8 GHz.  相似文献   
64.
在不定积分第二积分换元定理的条件中,要求变换x=φ(t)不含有稳定点,即:φ′(t)≠0.当变换x=φ(t)中含有孤立稳定点时,给出了变换中含有孤立稳定点的第二积分换元定理.拓宽了第二积分换元定理的应用范围.  相似文献   
65.
The generalized Mycielskians (also known as cones over graphs) are the natural generalization of the Mycielski graphs (which were first introduced by Mycielski in 1955). Given a graph G and any integer m?0, one can transform G into a new graph μm(G), the generalized Mycielskian of G. This paper investigates circular clique number, total domination number, open packing number, fractional open packing number, vertex cover number, determinant, spectrum, and biclique partition number of μm(G).  相似文献   
66.
采用含时密度泛函方法,结合赝势模型和电子交换相关作用的广义梯度近似,模拟了氮分子在超强飞秒激光脉冲作用下的高次谐波产生现象,并研究了激光脉冲偏振方向对氮分子高次谐波的影响.结果表明氮分子的高次谐波谱具有典型原子谐波谱的特征;谐波谱强度随着θ(激光偏振方向与分子轴向夹角)的增大而减小.这与J.Itatanl在Nature上报道的实验结果基本一致.  相似文献   
67.
SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.  相似文献   
68.
The tunneling of a giant spin at excited levels is studied theoretically in mesoscopic magnets with a magnetic field at an arbitrary angle in the easy plane. Different structures of the tunneling barriers can be generated by the magnetocrystalline anisotropy, the magnitude and the orientation of the field. By calculating the nonvacuum instanton solution explicitly, we obtain the tunnel splittings and the tunneling rates for different angle ranges of the external magnetic field ( θ H = π/2 and π/2 < θ H < π). The temperature dependences of the decay rates are clearly shown for each case. It is found that the tunneling rate and the crossover temperature depend on the orientation of the external magnetic field. This feature can be tested with the use of existing experimental techniques. Received 12 March 2001 and Received in final form 18 October 2001  相似文献   
69.
许心光  邵耀鹏等 《物理学报》2002,51(10):2266-2269
在KNSBN:Ce晶体中,利用二波耦合作用,在单一光束无法获得相位共轭光的条件下,实现了“猫”式互抽运相位共轭光输出,获得较高的共轭光发射率,实验结果表明,晶体的二波耦合作用可以使晶体的自抽运相位共轭光的阈值光强降低。入射光的入射角范围增大,响应时间缩短。  相似文献   
70.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制  相似文献   
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