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81.
82.
工况图在热电厂的设计和运行中具有广泛的用途。本文根据引进型双抽非再热200MW供热机组的技术特点,通过编程在纯凝汽工况、单抽工业抽汽工况、单抽采暖抽汽工况和双抽供热等典型变工况计算的基础上,完成了当新蒸汽负荷、工业抽汽负荷和采暖抽汽负荷发生改变时的变工况计算,并绘制了该机组的运行工况图. 相似文献
83.
李斌 《数学的实践与认识》2006,36(8):25-30
在分析我国房地产自有资本收益率操作中所存在问题的基础上,论述了自有资本收益率的实质是自有资金直接资本化率,并在房地产持有期小于抵押贷款期以及房地产持有期和土地批租年限相同的两种情况下,推导出了与土地有限期使用制度相适应的房地产资本化率和自有资本收益率的计算方法,提出了利用债务保障比率的取值范围检验资本化率合理性的基本公式. 相似文献
84.
85.
The generalized Mycielskians (also known as cones over graphs) are the natural generalization of the Mycielski graphs (which were first introduced by Mycielski in 1955). Given a graph G and any integer m?0, one can transform G into a new graph μm(G), the generalized Mycielskian of G. This paper investigates circular clique number, total domination number, open packing number, fractional open packing number, vertex cover number, determinant, spectrum, and biclique partition number of μm(G). 相似文献
86.
87.
88.
R. Lü H. Pan J.-L. Zhu B.-L. Gu 《The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems》2002,26(4):479-491
The tunneling of a giant spin at excited levels is studied theoretically in mesoscopic magnets with a magnetic field at an
arbitrary angle in the easy plane. Different structures of the tunneling barriers can be generated by the magnetocrystalline
anisotropy, the magnitude and the orientation of the field. By calculating the nonvacuum instanton solution explicitly, we
obtain the tunnel splittings and the tunneling rates for different angle ranges of the external magnetic field ( θ
H = π/2 and π/2 < θ
H < π). The temperature dependences of the decay rates are clearly shown for each case. It is found that the tunneling rate
and the crossover temperature depend on the orientation of the external magnetic field. This feature can be tested with the
use of existing experimental techniques.
Received 12 March 2001 and Received in final form 18 October 2001 相似文献
89.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
90.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献