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141.
从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果, 关键词:  相似文献   
142.
蔡林沁  谢阅  李凤保 《应用声学》2002,(10):675-677
SPC数据采集与处理系统实现了SPC数据的计算机采集与处理 ,大大提高了SPC分析的效率与准确性 ,对推动目前国内SPC应用 ,提高产品质量管理水平具有重要的现实意义。本文具体介绍了SPC数据采集与处理系统的结构与组成及软件实现和处理功能。  相似文献   
143.
林木仁 《数学研究》2002,35(4):421-428
得到εdx/dt=A(t)x的扰动系统具有指数型二分性一个充分条件,作为应用得到其扰动系统概周期解及有界解的存在性,推广了[1,2,3]的结果。  相似文献   
144.
史金麟 《数学学报》2002,45(6):1113-112
微分方程光滑线性化的研究,目前仅限于原点近傍的小邻域,本文给出了一个全局光滑线性化的结论.全局拓扑线性化或全局光滑线性化的先决条件是任一解的存在区间为全实轴.因此,本文也讨论了Wintner定理的推广问题.  相似文献   
145.
T-C模型中虚光子过程对光场压缩效应的影响   总被引:11,自引:1,他引:10       下载免费PDF全文
利用全量子理论,研究非旋波近似下TC模型中受激场的压缩效应.结果表明:非旋波近似下,由于虚光场的影响,Q的演化曲线出现了“小锯齿状”,表现为系统的量子噪声,随着ω和n的增大,量子噪声分别减小和增大,虚光子过程使光场的压缩程度明显加深;研究结果还揭示了原子场耦合系数λ及原子间耦合系数g与光场压缩效应的关系. 关键词: T-C模型 非旋波近似 压缩效应 量子噪声  相似文献   
146.
统计优化迭代法测量质子交换波导折射率分布   总被引:5,自引:0,他引:5  
提出了一种用于拟合测量渐变波导的折射率分布的新的理论处理。该方法把统计优化手段导入循环迭代法 ,可适用于费米函数这一类曲线变化范围大、且有多个自变量的函数。实验上用焦磷酸质子交换制备了LiNbO3波导样品 ,用该方法对退火后的折射率分布作了测量拟合 ,折射率拟合值与实验值的均方差为± 8.2× 10 - 4。  相似文献   
147.
黄琳  王龙 《中国科学A辑》1991,34(8):839-847
本文运用值映射与参数化的方法研究了鲁棒D稳定性问题。文中给出了主要结果——参数空间鲁棒分析的边界定理,作为该结果的应用,一些现代鲁棒分析的知名结果,例如多项式族的稜边定理,Kharitonov定理和菱形定理都被简洁地证明出来;给出了一种判定双参数多项式族D稳定的新方法。用该方法可以方便地确定H稳定多项式按一定摄动模式(区间方式和菱形方形)的最大摄动界。  相似文献   
148.
主要讨论了不含k-C-圈的n阶r-一致超图,对不同的k,分别得出了它的极大边数的一个下界,并且得出在有些情况下它的下界是最大的.另外,我们得到了Krn含k-C-圈的一个充分必要条件.  相似文献   
149.
分辨率为1pm的波长监测新方法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
冯耀军  曹庄琪  陈麟  沈启舜 《物理学报》2006,55(9):4709-4712
在亚毫米尺度金属包覆波导研究基础上,提出了一种波长监测的新方法.实验采用自由空间耦合技术,激发了波导中对波长变化十分灵敏的超高阶导模,并以此为探针,实现了1pm波长漂移的监测. 关键词: 波长监测 金属包覆波导 超高阶导模  相似文献   
150.
Feng  S.-W.  Tsai  C.-Y.  Cheng  Y.-C.  Liao  C.-C.  Yang  C.C.  Lin  Y.-S.  Ma  K.-J.  Chyi  J.-I. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(12):1213-1219
A side-bump feature in a photoluminescence (PL) spectrum of an InGaN compound was widely observed. With reasonable fitting to PL spectra with three Gaussian distributions, the temperature variations of the peak positions, integrated PL intensities, and peak widths of the main and first side peaks of three InGaN/GaN multiple quantum well samples with different nominal indium contents are shown and interpreted. The existence of the side peaks is attributed to phonon–replica transitions. The variations of the peak position separations and the decreasing trends of the first side peak widths beyond certain temperatures in those samples were explained with the requirement of phonon momentum condition for phonon–replica transitions. In the sample with 25% nominal indium content, the phonon–replica transition could become stronger than the direct transition of localized states.  相似文献   
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