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41.
Strong Vector Equilibrium Problems   总被引:3,自引:0,他引:3  
In this paper, the existence of the solution for strong vector equilibrium problems is studied by using the separation theorem for convex sets. The arc-wise connectedness and the closedness of the strong solution set for vector equilibrium problems are discussed; and a necessary and sufficient condition for the strong solution is obtained.  相似文献   
42.
熔制了掺铒碲铌玻璃样品(100-X)TeO2-XNb2O5(X=5,10,15,20mol%),测试了其密度、折射率、转变温度、析晶温度、维氏机械强度、吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命等参量。利用Judd-Ofelt和McCumber理论分别计算了铒离子强度参量Ωt(t=2,4,6)和受激发射截面σemi的大小,研究了掺铒碲铌玻璃样品光谱参量对Nb2O5成分的依赖性,并与典型的碲锌钠玻璃(75TeO2-20ZnO-5Na2O)在热学、机械强度、光谱性质和放大品行四个方面进行了比较.  相似文献   
43.
H. Ju  Q. Gong 《Optics Communications》2006,259(2):861-867
We investigate carrier dynamics in a passive InAs/InP quantum dot (QD) waveguide using 255 fs optical pulses at a central wavelength of 1568 nm. We observe strong anisotropy of absorption saturation for different polarizations. Pump-probe measurements indicate the presence of carrier relaxation dynamics on a timescale in the order of tens of picoseconds due to cascaded relaxation of carriers generated by two-photon absorption (TPA) from the bulk region to the QDs via the wetting layer. These relaxation timescales are much longer than in QD amplifiers. Our observations are supported by a rate-equation model which includes TPA, showing good agreement with the pump-probe measurements.  相似文献   
44.
We studied the influence of focusing depth on the index change threshold and damage threshold of silica glass irradiated by a focused 120 fs laser beam. Both thresholds increased with the focusing depth. The aspect ratio of the waveguide cross section can be selected by changing the focusing depth. A 5 mm long waveguide was written at the depth of 2100 μm, which was single mode at 632.8 nm and exhibited propagation loss of 0.56 dB/cm. The refractive index change was calculated to be ∼2.47×10-3. The influence of the focusing depth should be considered in multi-layer devices as shown in the fabrication of a 3×3 waveguide array. PACS 42.62.-b; 42.82.Et; 81.05.Kf  相似文献   
45.
c轴定向氮化铝薄膜的制备   总被引:3,自引:0,他引:3  
龚辉  范正修 《光学学报》2002,22(8):33-936
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。  相似文献   
46.
 利用内径为57 mm的压缩气炮,在撞击速度为0.2~1.2 km/s(相应的靶中压力为3~15 GPa)范围内进行对称碰撞实验,以研究TC4(Ti-Al6-V4)钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品,在扫描电镜(SEM)下进行细观金相分析。结果指出,一维应变冲击压缩条件下,TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s(相当于样品中的压力为5.87 GPa);主剪切带与冲击方向约为45°角,带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大,这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大,产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出,剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变,是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。  相似文献   
47.
We have investigated the transient third-order optical nonlinearity of the solutions of Metal(dmit)2/(mnt)2 salts in acetone by employing femtosecond optical Kerr gate measurement at 830nm wavelength.An order of enhancement on the second-order hyperppolarizability is found for the above salts with central atoms of Cu and Ni.We have suggested an explanation for the enhancement based on the extension of electronic conjugation by the entring Cu or Ni atom.  相似文献   
48.
The effect of the shear flow on the thickness change of a polyelectrolyte membrane grafted onto a glass substrate was directly investigated with a flow cell combined with a confocal laser scanning microscope. The membrane thickness decreased proportionally to an increase in the shear stress of the flow when the shear rate exceeded a critical value of 1 s?1. The higher the ionic strength was of the fluid, the greater the thinning effect was. The correlation between the critical shear rate and the relaxation of the polymer in the gel membrane was examined. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 41: 2808–2815, 2003  相似文献   
49.
x射线近贴显微技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
赵卫  张小秋 《光子学报》1993,22(1):35-39
x射线近贴显微技术不但可使活的生物样品成象,分辨率高于光学显微镜,而且人为的样品准备程序在该技术中都可避免。本文描述了用高功率激光打靶产生的等离子体作为软x射线源而进行的近贴显微研究,并得到了分辨率好于1μm的结果。  相似文献   
50.
Miniature, etching ridge InGaAsP/InP Phase Modulator with highly efficient phase shifting efficiency of 60°/V.mm and 43°/V.mm for TE and TM modes, respectively, and 3 dB bandwidth of 650 MHz at 1.52 μm are reported. It is well suited for integrated opto-electronics. Some functions depending on bandwidth of the devices are discussed.  相似文献   
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