溶液样品温度对ICP光源发射强度的影响

通过光电检测法研究了溶液样品温度在20,40和60 ℃条件下,对电感耦合等离子体(ICP)光源发射强度的影响。实验结果表明,随着溶液温度的提高,元素钡、铜和锌的谱线强度有明显的增强。观察了在不同溶液温度下,谱线强度随光源观察高度和载气压力的变化规律, 发现温度的提高使最佳观测高度位置降低,而最佳载气压力升高。     

CO+分子离子彗尾带系在近红外区域的光谱研究

CO 分子离子是一种重要的瞬态自由基分子,许多研究者对该带系进行了大量的研究。文章采用光外差-磁旋转-速度调制光谱技术测量了12C16O 分子离子彗尾带系(A2Πi-X2Σ )在近红外区域的3个支带(0,3),(1,4)和(3,6)的振转吸收光谱。利用最小二乘法拟合,得到了上态A2Πi(ν′=0,1,3)的精确的分子常数。进一步验证了光外差-磁旋转-速度调制光谱技术在吸收光谱测量中的优越性。     

一种实现显微荧光寿命图的测量方法

将脉宽120fs、重复率76MHz激光引入激光扫描显微镜的激发光路,利用其扫描系统对荧光标记样品激发扫描,将激发出的荧光从荧光探测光路引入备用的外部探测口;在探测口接一快速光电倍增管,将光电倍增管的信号送给时间相关单光子计数器,获得时间相关的荧光强度图;最后通过计算机处理获得荧光寿命图。应用此系统对青色荧光蛋白(CFP)、黄色荧光蛋白(YFP)荧光寿命进行了测量,并应用CFP、YFP实现荧光共振能量转移的测量。通过实验看出利用已有的激光扫描显微镜,配合较先进的寿命测量方法,可以很好地实现显微荧光寿命图的测量。     

S波Kπ散射以及动力学产生标量介子

考虑Kπ和Kη两个耦合道, 用手征幺正方法研究了S波Kπ散射. 结果表明, 只用一个参数, 1.2GeV以下的散射相移数据就可以得到很好的描述, 并且散射长度也和实验值符合很好. 此方法可以动力学产生标量介子κ, 并预言其质量和宽度分别大约是752MeV和594MeV. 可以定性地产生对应于K^*₀(1430)的标量介子.     

重稀土高氯酸盐甲基苯甲酰甲基亚砜配合物的合成及Tb3+的发光

合成了重稀土高氯酸盐甲基苯甲酰甲基亚砜配合物RE(ClO4)3·L5·C2H5OH(RE=Gd,Tb,Dy,Tm,Yb;L=C6H5COCH2SOCH3).经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导及热重分析确定了配合物的组成,测定了配体及配合物的IR谱、1H NMR及铽配合物的磷光光谱、荧光激发和发射光谱,根据荧光发射光谱数据计算了铽配合物的各能级值.     

Nd∶KY(WO4)2和Nd∶KG(WO4)2晶体吸收光谱性能分析

通过研究分析钨酸盐晶体Nd∶KY(WO₄)₂和Nd∶KG(WO₄)₂在室温下的吸收光谱，发现这2种晶体具有作为激光晶体的优良特性。根据Judd-Ofelt理论和测试所得的吸收光谱及数据，用VC++编程计算出晶体的谱线强度、振子强度、吸收截面等，拟合得Nd³⁺离子的3个晶场调节参数Ω_λ(λ=2，4，6)的值，并从理论上计算了自发跃迁几率、能级寿命、荧光分支比和积分发射截面。从计算得出的荧光分支比β可以看出，Nd∶KY(WO₄)₂(β_1060nm=0.4380)和Nd∶KG(WO₄)₂(β_1060nm=0.4618)晶体荧光分支比都较大，计算了该晶体的X=Ω₄/Ω₆，并将其X值与其他晶体的X值加以比较，Nd∶KY(WO₄)₂和Nd∶KG(WO₄)₂均易于实现1.06μm激光输出，适合作为LD泵浦的钨酸盐晶体激光器。     

图像处理技术在低逸出功印刷型FED中的应用

采用低成本、大面积、低逸出功FED阴极材料及其阴极浆料,研制了大面积印刷式FED(样机),具有自主知识产权,在国内外属首创。介绍了低逸出功可印刷型场致发射显示系统的工作原理、数字视频图像的转换和处理、视频数据的传输、列灰度驱动和行驱动集成电路以及FPGA控制技术等。为了改善场致发射显示器的显示效果,通过理论分析和实际验证提出了亮度非均匀性校正、γ校正、自动功率控制等相应的解决方案。将图像处理技术应用到驱动电路中,改善了图像的亮度均匀性和灰度再现质量,降低了整机的功耗。首次将本技术应用于大屏幕低逸出功印刷型63.5cm(25英寸)VGA级彩色FED驱动系统中,研制出了能显示彩色视频图像的彩色FED显示器样机。亮度达400cd/m2、对比度为1000∶1,电路灰度等级为256级。     

严重段塞流现象与立管顶部节流的瞬态模拟

在对严重段塞流现象实验研究的基础上,本文采用OLGA软件建立了实验系统的瞬态模型,对水平段长度为114 m,下倾段长度为133 m,立管高度为15.3 m,内径为50.8 mm的集输-立管系统中的严重段塞流现象进行了数值研究,给出了相应流型图,并将立管底部压力、立管顶部持液率、段塞周期等严重段塞流特性参数的模拟结果与实验结果进行了对比;本文还对控制严重段塞流现象的立管顶部节流法进行了模拟研究,并与实验结果进行了对比。研究发现,本文的瞬态模型能够较好地模拟出实验中发现的四类流型,但对严重段塞流详细特性参数的模拟不够准确,对顶部节流的模拟与实验结果相差较大,对顶部节流法消除严重段塞流的机理仍需进一步研究。     

Van der Pauw Hall Measurement on Intended Doped ZnO Films for p-Type Conductivity

A Van der Pauw Hall measurement is performed on the intended doped ZnO films （Na doped ZnO） grown by using the molecular beam epitaxial method. All as-grown samples show n-type conductivity, whereas the annealed samples （annealing temperature 900℃） show ambiguous carrier conductivity type （n- and p-type） in the automatic Van der Pauw Hall measurement. A similar result has been observed in Li doped ZnO and in as-doped ZnO films by other groups before. However, by tracing the Hall voltage in the Van der Pauw Hall measurement, it is found that this alternative appearance of both n- and p-type conductivity is not intrinsic behavior of the intended doped ZnO films, but is due to the persistent photoconductivity effect in ZnO. The persistent photoconductivity effect would strongly affect the accurate determination of the carrier conductivity type of a highly resistive intended doped ZnO sample.     

微通道中气体流动的格子Boltzmann数值模拟

采用可压缩格子Boltzmann模型及非平衡外推边界条件,数值模拟微通道中的气体在滑移区域(Kn≤0.1)内的流动,计算结果包括出口速度剖面、通道中心压力分布以及质量流率等,与理论结果及其他实验结果符合得很好.还模拟了180°弯曲通道中的气体流动.结果表明,滑移速度的存在抑制了边界层的分离,因此在弯曲处不存在漩涡.计算结果还表明,弯道的存在显著影响了气体的质量流率.