一类新的求解P_*(κ)阵线性互补问题的多项式内点算法

利用核函数及其性质,对P_*(k)阵线性互补问题提出了一种新的宽邻域不可行内点算法.对核函数作了一些适当的改进,所以是不同于Peng等人介绍的自正则障碍函数.最后证明了算法具有近似O((1+2k)n3/4log(nμ~0)/ε)多项式复杂性,是优于传统的基于对数障碍函数求解宽邻域内点算法的复杂性.     

半线性抛物方程在L2p空间中全局吸引子的存在性

本文研究了半线性抛物方程所生成的半群{S（t）}t≥0的吸引子的存在性.利用文献[1]中证明吸引子正则性的思想,分别得到半群{S（t）}t≥0在L^2p（Ω）空间中具有一个有界吸收集和一个全局吸引子.     

拉脱法测液体表面张力系数的改进

对拉脱法测定液体表面张力系数的实验作了改进．减小Ⅱ形框横丝长度L,减短Ⅱ形框侧丝长度b,对由此引出的自升现象、α的计算公式等问题进行了相应的分析和处理,使实验用液量由原来的100mL减为5mL,并且提高了测量准确度。     

氢化物发生-原子荧光法测定中药中痕量汞

应用AFS-2202a型双道原子荧光分光光度计和断续流动的氢化物发生技术,采用HNO₃-H₂O₂体系和聚四氟乙烯高压釜消解中药样品,并优化了实验条件,建立了氢化物发生-原子荧光法测定中药中痕量汞。同时,研究了硼氢化钾浓度,光电管负高压,灯电流,原子化器高度,屏蔽气和载气流量等因素对测定结果的影响。在选定实验条件下,汞的检出限为0.021 μg·L-1, 桃叶(GBW08501)验证结果与推荐值一致,6次测定结果相对标准偏差为0.34%。此方法简便、快速、灵敏、准确,以工作曲线法和加入作图法对照,对于实际中药样品的测定得到了满意的结果。     

裂解温度对CVD法制备多壁碳纳米管的影响

用SEM、TEM、HRTEM及拉曼光谱方法研究了催化裂解乙炔制备多壁碳纳米管过程中裂解温度的影响,结果表明,在650℃～700℃裂解乙炔,可获得产量高、直径分布均匀、石墨程度高的多壁碳纳米管,并对裂解温度影响机制进行了分析和探讨。     

Surface Polaritons in a Wire Medium with Spatial Dispersion

The dispersion relations of the surface polariton in a semi-infinite wire medium with spatial dispersion are analysed. In comparison with the traditional spatial dispersive medium there only exists one branch instead of multibranch for the dispersion curve. The possibility of the experimentally observing the surface polaritons by attenuated total reflection is simulated numerically.     

多模干涉器的精确计算及弱限制下的损耗分析

对多模干涉器的模场传播常数和光场分布进行了精确计算,并与解析近似计算结果进行了比较,发现在弱限制条件下出现输出光能量降低的真正原因：一方面是波导支持的导模数量较少,导致高频成分丢失,自映像质量下降,形成大的弥散斑,造成输出耦合损失;另一方面是由于高频辐射模直接辐射带走了一部分能量。该分析结果纠正了传统的模糊观念。     

External Electric Field Effect on Hydrogenic Donor Impurity in Zinc-Blende InGaN Quantum Dot

The binding energy of a hydrogenic donor impurity in zinc-blende (ZB) InGaN quantum dot (QD) is calculated in the framework of effective-mass envelope-function theory using the plane wave basis. It is shown that the donor binding energy is highly dependent on the impurity position, QD size and the external electric field. The symmetry of the electron probability distribution is broken and the maximum of the donor binding energy is shifted from the centre of QD in the presence of the external electric field. The degenerating energy levels for symmetrical positions with respect to the centre of QD are split. The splitting increases with the increase of QD height while the splitting increases up to a maximum value and then decreases with the increase of QD radius.     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。