气相外延GaN的拉曼散射

测量了在蓝宝石衬底上气相外延生长GaN的拉曼散射谱.除观察到已被确认的两个E2,一个A1(TO)和一个E1(TO)声于振动以外,在734±3cm-1处观察到一个散射峰且从实验上确认其为GaN的纵向光学声子模E1(LO).而且发现其强度与外延层晶体质量密切相关.A1(TO)和高频E2散射峰相对强度变化显示不同生长条件引起的外延层质量的变化.     

优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。     

含丙氧甲基冠醚侧基的线型聚甲基硅氧烷液膜离子传输性能

烯丙氧甲基１５－冠－５和１８－冠－６与甲基二氯硅烷进行硅氢加成，再与端羟基硅油反应，三甲基氯硅烷封端，得到两种冠醚含量适中、结构确定的含冠醚侧基的线型聚甲基硅氧烷．以两种聚合物冠醚为流动载体，采用大块液膜装置，研究了载体和阳离子的种类、成盐阴离子的种类、载体的浓度及盐的浓度对离子迁移的影响，并考察了膜的稳定性．     

Miniature InGaAsP/InP phase modulator for integrated opto-electronics

Miniature, etching ridge InGaAsP/InP Phase Modulator with highly efficient phase shifting efficiency of 60°/V.mm and 43°/V.mm for TE and TM modes, respectively, and 3 dB bandwidth of 650 MHz at 1.52 μm are reported. It is well suited for integrated opto-electronics. Some functions depending on bandwidth of the devices are discussed.     

激光诱导光栅技术测量磁性液体的热扩散系数

在室温和常压下采用激光诱导光栅技术实验测量不同体积分数的磁性液体的热扩散系数,体积分数分别为5%,6%,7%,8%,9%和10%。由于在磁性液体薄片上的升温非常小以及毫秒级的测量时间,自由对流所产生的影响可以忽略不计。用激光诱导光栅技术测的数据与已有文献中的实验数据比较吻合,从而说明该技术在磁性液体的热扩散测量上是可行的。     

大麦叶肉和叶肉原生质体间若干性状的比较

和叶肉相比，叶肉原生质体的K含量下降，Fe, Zn, Mn, Cu等元素的含量则显著升高，游离ABA水平显著较高;碱性过氧化物酶活性明显下降.以上事实表明，叶肉细胞的脱壁措施会使细胞原生质体的生理、、生化状况产生显著变化.     

钯与希夫碱类配合物的合成与表征

合成了把(I)与五个希夫碱的七个新配合物:(L1-H)护d, 相似文献   

金(l)与铂(IV)和N-氧化毗咤-2一甲醛半卡巴腺配盐的合成及其晶体结构

本文首次报道N-氧化毗咤-2一甲醛希夫碱配体与贵金属Au ( I)和Pt(N)的配盐[( C,HsN,Ox ) zH] [AuCI, ] ( In)和〔C,HgN,Oz)xH]z[PtCle] " 6Ha0)(2)的合成，并使用元素分析、红外、紫外、荧光光谱、摩尔电导的手段进行结构表征;并报道配盐1的晶体结构，配盐1的晶体学数据:C2/c,a=19. 223(2)人,b=7.510(1)人,c=16.414(5)人，夕=115.73(1)0,R=0. 037.晶休结构研究表明:配盐是由阳、阴离子缔合而成的中心对称的配盐分子。