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921.
The title complex cis-bis(tetrahydrothiophene)-bis(nitrate) platinum(H), (tht)2Pt(NO3)2, was the reducing product from potassium hexachloroplatinate(IV) K2PtC16 where the platinum is tetra-valenced. Crystal data for CsH16N206PtS2: monoclinic, space group P21/c, a = 9.8833(5), b = 8.6744(4), c = 18.6407(9)A,β = 114.401(3)°, V = 1455.35(12)A3 Z = 4, Mr = 495.44, Dc = 2.261 g/cm3, F(000) = 944,μ = 9.950 mm-1, 2(MoKa) = 0.71073 A, T= 293(2) K, 2θmax = 54.96°, GOOF = 1.033, R = 0.0350 and wR = 0.0785 for 2572 observed reflections with I 〉 2σ(I). X-ray diffraction studies reveal that the title complex has interesting weak metal-metal interactions and two molecules linked by metal-metal interaction exist as a group. Luminescent spectrum illuminates red emission of the complex at room temperature. 相似文献
922.
Chiral titanate reagents were prepared for inducing asymmetric syntheses of substituted benzhydrols from Grignard reagents and aldehydes. The solvents, reaction temperature and exchange of reactants by crossing experiments were investigated. Favorable attack of the nucleophile upon the aromatic aldehydes' prochiral face was proposed, the absolute configurations of the synthesized benzhydrols were suggested, and a preliminary reaction mechanism was described. 相似文献
923.
Single Crystal Si Layers on Glass Fabricated by Hydrophilic Fusion Bonding and Smart-Cut Technology
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A single crystal Si thin film on a glass substrate has been obtained successfully by hydrophilic fusion bonding and the smart-cut technology. Tensile strength testing shows that the bonded interface has strong adhesion and the bonding strength is about 8.7MPa. Crystallinity and microstructure of the samples have been characterized by transmission electron microscopy (TEM). Electrical properties have also been investigated by Hall measurements and four-point probe. The mobility of the transferred Si layer on glass is about 122cm^2//V.s. The results show that the single-crystal silicon layer transferred onto glass by direct bonding keeps good quality for the applications of integrated circuits, transducers, and fiat panel display. 相似文献
924.
925.
在HL-1装置的输样机构上安放了硅收集探针。经过55次高功率托卡马克放电辐照后,对于因石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发,并沉积在硅收集探针上的杂质涂层进行了俄歇电子能谱(AES)分析,获得无主动冷却石墨孔栏被腐蚀而溅射蒸发出来的碳杂质流通量约为8×10~(13)cm~(-2)·S~(-1),金属重杂质镍和铬较GH39高镍钢孔栏时降低44%左右。 相似文献
926.
927.
冯贤平 《核聚变与等离子体物理》1988,(2)
本文在临界密度区域内激光场趋于零的假设下,系统地研究了由强激光辐照非均匀等离子体引起临界密度变陡的现象,给出了较为精确、完备的描述等离子体密度结构的各种参数和等离子体密度的坪台结构。 相似文献
928.
929.
与波动方程边界控制有关的一类本征值问题 总被引:1,自引:1,他引:0
本文在高维空间情形,研究了大型空间结构和柔性机器人的控制中提出的一类新型的包含边界双线性形式的本征值问题,利用Pohozaev恒等式,分析了本征元的边界形态. 相似文献
930.