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991.
从LiNbO3 Fibonacci超晶格的结构特点出发,数值模拟了超短脉冲在LiNbO3 Fibonacci超晶格内传输过程中,自相位调制及高阶群速色散效应对脉冲形状和频谱的影响.结果表明,超短脉冲在Fibonacci超晶格中传输时,由于自相位调制(SPM)与群速色散(GVD)耦合效应的影响,脉冲形状畸变和频谱展宽均是不对称的,随着晶格长度的增加,脉冲将会发生分裂,以至成为两个独立的子脉冲,同时也会出现脉冲频谱上的分裂.
关键词: 相似文献
992.
利用脉冲激光制膜法,在多种衬底和温度条件下,系统研究了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性,在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明,外延生长的最佳温度范围为700—800℃,最佳衬底为LaAlO3.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性
关键词: 相似文献
993.
利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出结合Cd(OH)2 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的尺寸分布, 并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想. 以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒, 再通过Cd2+ 与OH- 的选择性包覆在大粒径的CdS纳米微粒表面形成一层Cd(OH)2, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Cd(OH)2 包覆的大粒径CdS纳米微粒, 这样即可达到缩小CdS纳米微粒尺寸分布的目的. 相似文献
994.
用射频磁控反应溅射的方法,以金属Al和TbF3为靶材,在总压为1Pa,N2/Ar比为20/80的气氛下,制备了AlN:TbF3薄膜。研究了不同制备条件对薄膜光致光相对亮度的影响。进一步实验表明,电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度的依赖关系。在衬底温度为600℃,TbF3含量约为4.0mol%的条件下制备的AlN:TbF3ACTFEL器件,在交流驱动条件下,得到了Tb^3+离子的特征发光。 相似文献
995.
996.
997.
FAN Chengyu 《Chinese Journal of Lasers》1999,8(2):149-152
1IntroductionThehypothesisofastatisticalylocalyisotropichomogeneousturbulentfieldwasthebaseofKolmogorov’smodel[1].Thesecondo... 相似文献
998.
999.
1000.