Vollständige Durchschnitte und Differenten

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Refinement of saturated-transistor theory

Zusammenfassung Die vorliegende Arbeit befasst sich mit drei verschiedenen Eigenschaften des übersteuerten Transistors.In Kapitel A wird die üblicherweise verwendete Theorie vonMoll für die Berechnung der Sättigungsspannung auf den Bereich grösserer Ströme erweitert, indem zwei Effekte berücksichtigt werden, die für grössere Stromdichten typisch sind: das Feld, das sich in der Basis aufbaut sowie die (transversale) Stromverdrängung.Kapitel B behandelt den Stromfluss im übersteuerten Transistor. Es wird gezeigt, dass der Hauptteil des Basisstromes durch die Kollektor-Basis-Diode fliesst.In Kapitel C geht es um die Berechnung der Speicherzeit. Ein Sonderfall in dieser Hinsicht ist ein Transistor, der durch einen niederohmigen Generator ausgeschaltet wird, weil dann die Basisspannung, aber nicht der für die Berechnung der Speicherzeit benötigte Basisstrom bekannt ist.     

Über die Konstruktion von Fundamentalbereichen

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Der Satz von Looman-Menchoff und seine Ausdehnung auf denn-dimensionalen euklidischen RaumR n .

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Die Streuung von Deuteronen an Deuteronen unter Berücksichtigung ihrer gegenseitigen Verzerrung

The elastic scattering of deuterons in deuterium has so far only been treated in Born approximation, at rather high energies. In the present paper the authors derive integro-differential equations to deal with the scattering phenomenon at low energies of a few MeV. The mutual distortion of the two deuterons at close distance turns out to have a large influence on the angular distribution. A simple and plausible assumption has been made, concerning this distortion, and the results have been compared with experiment for two energies.