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131.
132.
We introduce the notions of δ-t-sets, δβ-t-sets, δ-B-continuity and δβ -B-continuity and obtain decompositions of continuity and complete continuity.  相似文献   
133.
The partition coefficient of strontium upon its extraction from the aqueous solutions of picric acid into chloroform containing DC-18-crown-6, B-15-crown-5 after their exposition to gamma radiation has been studied. A significant decrease of the partition coefficient in the studied range of doses 10–70 kGy was observed. This effect can be attributed to the radiolytic products of chloroform. The radiation destruction as well as dehydrogenation of crown ethers were not observed.  相似文献   
134.
E. J. S. Lage 《Physica A》1987,140(3):629-636
We study critical dynamics of general q-state Potts models on d-dimensional hypercubic lattices. The master equation is formulated according to a theory recently presented by the author. A simple bond moving technique, followed by decimation, is used to obtain the dynamical exponents. Although this approximation yields poor results for the static exponents, the dynamic behaviour is closer to Monte Carlo simulations. We compare our results with those obtained with a different formulation of dynamics. A final discussion is included.  相似文献   
135.
Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 55, No. 4, pp. 613–618, October, 1991.  相似文献   
136.
The behavior of the edges of cuts in shallow shells with the symmetric combined action of tension and flexure is investigated. For shells of different curvature with one and two parallel or collinear cuts, the load region in which there is no contact of the cut edges in the course of shell deformation is determined.Translated from Teoreticheskaya i Prikladnaya Mekhanika, No. 19, pp. 98–100, 1988.  相似文献   
137.
138.
139.
Results of an experimental observation of the voltage oscillations associated with a discrete tunneling of holes in porous silicon at room temperature are presented. The noise characteristics of diode structures with a porous silicon interlayer formed on heavily boron-doped silicon single crystals are studied. Peaks of excessive noise are observed at frequencies of ~1 MHz, at which single-electron oscillations should be expected. The peak noise power is found to increase with current according to the ~2.5 power law and, at a current density of 0.15 A/cm2, to exceed the noise power of the receiver by three to four orders of magnitude. The complex shape of the noise spectrum and its extension to the higher frequency region with increasing current are explained by the three-dimensionality of the system of nanometer-sized silicon grains embedded in insulating silicon dioxide of porous silicon.  相似文献   
140.
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