30CrMnSiNi2A晶格参量的测量及回复规律研究

针对X射线衍射领域中晶面衍射峰重叠问题,提出一种新的重叠峰分离方法.采用RU-200V转靶衍射仪对30CrMnSiNi2A晶格参量及其回复规律进行研究,得出不同回火温度下晶格参量与碳含量的变化关系.研究结果发现:由于碳的过饱和度不同以及合金元素的影响,30CrMnSiNi2A与高碳马氏体晶格参量的变化规律虽基本符合,但其变化速率存在差异.在不同回火温度下晶格参量a基本与碳含量无关,随着回火温度升高,a值略有下降.晶格参量c则随碳含量的变化幅度较大,从淬火态到180℃回火态出现一个陡降过程,随着回火温度升高,其变化幅度又趋于平缓.     

统计递归集的Hausdorff测度的上、下界

给出了由随机压缩算子生成的统计递归集的Ｈａｕｓｄｏｒｆ测度上、下界的估计．也就是说,在一些条件下,找出了Ｋ（ω）∩∞ｎ＝１∪ｉ∈Ｎｎ（ω）ｆ（ω）ｎ,ｉ（Ｅ）的α－维Ｈａｕｓｄｏｒｆ测度的上、下界,其中｛ｆｎ,ｉ,１≤ｉ,ｎ＜∞｝是一族随机压缩算子,｛Ｎｎ（ω）,ｎ≥１｝是一族可数的随机指标集．     

校园网络数据资源分层访问策略

分析了校园ＭＩＳ及数据资源的特征,针对校园信息资源范围广、关联复杂的状况,提出了数据资源统一访问策略——分层访问．数据访问分为七层,各层完成数据访问独立性的特定功能,使不同的访问软件能透明访问全部数据资源．为保证传统应用能基于网络计算访问统一数据资源,又提出了“数据访问管道”和数据库访问服务器的技术．文章分析了以应用服务器为基础的Ｎ－Ｔｉｅｒｓ计算的弊端,设计了“虚拟应用服务器”ＷＵＶ－ＡＰＰＳ,将数据访问对象构造成数据对象组件．     

扩频雷达探测一阶海洋回波

利用扩频通信良好的抗干扰性和低功率谱密度下工作的特点,本文把扩频技术引入高频海洋探测雷达来探测海洋一阶回波,研究结果表明,该技术对回波质量无不良影响,同时可降低雷达发射功率,增加雷达探测距离．     

若干经济数学模型的研究与应用

本文论述了近些年我们在投入产出模型、广告最优随机控制模型、最佳营销管理模型以及时间序列—马尔可夫链组合预测模型等方面所做的研究工作,同时也论及国内外在上述几方面的研究状况．     

BA对大豆子叶培养物器官分化的影响及其与子叶离体时苗龄的关系

苗龄显著影响大豆子叶培养物器官分化的能力,其中3d苗龄子叶的器官分化率最高.BA促进不定芽和抑制不定根形成的作用没有改变苗龄对子叶器官发生的影响趋势.BA对器官发生的影响幅度随苗龄而异,表明不同苗龄子叶对BA的反应不同.子叶器官发生的适宜苗龄和BA生理影响幅度最大的苗龄是有区别的.     

四元数体上Minkowski不等式与Bergstrom不等式

我们对四元数体上自共轭半正定矩阵按广义Ｓｃｈｕｒ补给出了Ｂｅｒｇｓｔｒｏｍ不等式的推广。然后应用自共轭半正定矩阵的Ｂｅｒｇｓｔｒｏｍ不等式得到了Ｍｉｎｋｏｗｓｋｉ不等式,我们的结果修正了重行列不等式的一些错误。     

硬脂酸法制备超细二氧化钛及其光催化降解苯酚废水的研究

采用硬脂酸作为防团聚剂改良的溶胶一凝胶法制备了TiO2光催化荆,并用BET、XRD、Raman光谱对样品进行了表征,考察了硬脂酸(STA)和钛酸丁酯摩尔比、焙烧温度以及催化剂用量等条件对催化剂活性的影响.结果表明硬脂酸有效抑制了TiO2光催化荆粒径的增大,增高了TiO2光催化刑晶型转变温度;拉曼数据显示催化剂粒径越小,拉曼特征峰发生蓝移,能级间隔略有增大;硬脂酸(STA)和钛酸丁酯摩尔比为1.51,焙烧温度450℃,催化剂浓度2 g·L-1时催化剂活性最好,300 W高压汞灯光照2 h,对苯酚的降解率达97.0%.     

Ne同位素替代下Ne-HF碰撞截面的理论计算

采用Huxley势函数拟合QCISD(T)/ aug-cc-pVTZ计算的相互作用势能面,通过精确度较高的密耦近似方法计算了E=100 meV时,氖原子的三种同位素 ¹⁶Ne, ²⁰Ne, ³⁴Ne与HF分子碰撞系统的微分截面和分波截面.探讨了Ne的同位素替代引起的Ne-HF碰撞激发 截面的变化规律.     

Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析

在As_4束流等效压强为1.2×10~(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20θ0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.