四溴双酚A锑铝双金属化合物的合成及其阻燃性能

以四溴双酚Ａ（ＴＢＡ）合成了在水和空气中稳定的四溴双酚Ａ合锑铝双金属化合物（ＴＢＡＳＡ）．通过ＩＲ、１ＨＮＭＲ和元素分析予以表征，并研究了其对聚乙烯（ＰＥ）和聚环氧乙烷（ＰＥＯ）的阻燃性能．结果表明，这种分子中含有溴、锑和铝的化合物，对聚乙烯和聚环氧乙烷等高聚物材料有高的阻燃性能与消烟效果．     

稳态锁模产生4ps激光脉冲

首次利用ＧａＡｓ光电导开关，控制Ｎｄ：ＹＬＦ激光器腔内Ｑ值，实现稳态锁模，获得脉宽和能量稳定性极高的４ｐｓ激光脉冲。     

Growth and optical properties of a new self-Q-switched laser crystal: Cr:Yb3Al5O12

Cr⁴⁺:YbAG (Cr⁴⁺:Yb₃Al₅O₁₂) crystal with a size up to Φ24 mm×30 mm was grown by the Czochralski method. In the absorption spectrum, there are two absorption bands at 939 and 969 nm, respectively, which are suitable for InGaAs diode laser pumping, and there is an absorption band at 1030 nm, which is suitable for passive Q-switched laser output at 1.03 μm. A broad emission spectrum from 970 to 1100 nm was exhibited from 940 nm wavelength pumping. This crystal is promising as a self-Q-switched laser crystal used for compact, efficient, highly stable, passive self-Q-switched thin chip solid-state lasers.     

The Drazin inverses of products and differences of orthogonal projections

In this note, the Drazin inverses of products and differences of orthogonal projections on a Hilbert space are established.     

四阶方程两点边值问题Hermite有限元解的渐近展式与外推

1引言有限元解的渐近展式是提高微分方程数值解精度的重要工具,比如亏量校正和外推就是建立在有限元解的渐近展式的基础之上．许多作者对此进行了大量的研究(见[1]-[4]),特别是文[1],提出了在研究有限元解的渐近展式中十分有用的能量嵌入技巧．本文利用能量嵌入定理得到了四阶方程两点边值问题Hermite有限元解及其二阶平均导数的渐近展式,进一步我们还讨论了它们的Richardson外推公式．考虑四阶方程两点边值问题     

LiNbO3∶Cr∶Cu晶体吸收特性及非挥发全息存储研究

研究了LiNbO3∶Cr∶Cu晶体的吸收特性,发现LiNbO3∶Cr∶Cu（含0.14 wt.% Cr2O3 和 0.011 wt.% CuO）晶体存在两个明显的吸收峰,中心波长分别位于480 nm和660 nm; 随着Cr的含量逐渐减小,Cu的含量逐渐增大,短波段不存在明显吸收峰,掺Cr的含量越大,中心波长在660 nm处的吸收越大；633 nm红光虽然位于中心波长为660 nm的吸收峰内,但它无助于光折变过程.分别采用390 nm紫外光和488 nm蓝光作为敏化光,514 nm绿光作为记录光的记录方案,实现了非挥发全息记录,掺入适量的Cr( 比如NCr=2.795×1025 m－3,NCr/ NCu=1)有助于全息记录性能的提高.     

过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究

采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明：过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.     

准二维无序系统的电子结构

对形如N_t×N_l型准二维无序系统，只考虑格点之间的最近邻跳跃积分，采用特殊的格点编号方案，在单电子近似下，系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵，借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵，再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算. 重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统， 将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比，发现随维度的增加，系统的能带有所展宽，能态密度分布发生很大的变化，其峰值数量呈偶数规律增加. 并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态，处于这些态下的系统具有较大电导. 从单链到多链，相当于扩大了系统的关联范围，使系统出现了类似非对角长程关联的行为. 关键词： 准二维无序系统 态密度 局域长度 电导     

VO2-Based Infrared Microbolometer Array

V0₂-based thin film materials on silicon substrates are fabricated by ion beam sputtering and a post-annealing which is different from the conventional fabricating method. An infrared linear microbolometer array with 128 pixels is prepared using as-deposited vanadium dioxide thin films. Optical and electrical properties for V0₂-based microbolometer array are tested.