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921.
The maximally entanglement will become less-entangled state because of the effects of decoherence. However, maximally entangled states are usually important for most of the quantum information processing protocols. So we propose a practical entanglement concentration protocol of an arbitrary four-photon less-entangled state assisted with single photons, which greatly reduces the difficulty of the experimental realization. In our scheme, we only employ three steps, a four-photon cluster state can be acquired with a certain probability by three affiliated photons. The protocol adopts the linear optical elements and weak cross-Kerr media, which make the scheme more simple and feasible in the experiment. 相似文献
922.
Fluorescence lifetime imaging microscopy (FLIM) based on time-correlated single photon counting (TCSPC) is a widely used method for fluorescence resonance energy transfer (FRET). Here we report a feasible add-on approach to upgrade a commercial two-photon FLIM microscope into a single-photon FLIM microscope which provides optimal FLIM-FRET imaging of FRET pairs consisting of cyan fluorescent proteins (CFPs) as the donor and yellow fluorescent proteins (YFPs) as the acceptor. The capability of the upgraded system is evaluated and discussed, and the imaging performance of the system is demonstrated using FLIM-FRET experiments with a representative CFP-YFP FRET pair (mCerulean-mCitrine). 相似文献
923.
本文从偶极子辐射场的Heaviside-Feynman表达式出发, 用经典的电动力学方法推导了考虑内禀磁矩影响后的相对论电子辐射频谱分布的表达式, 并对做匀速圆周运动的极端相对论性电子的同步辐射, 计算了两个偏振方向上的考虑磁矩修正后的辐射谱. 计算结果表明对于特征频率为ωc的同步辐射, 如果ħωc≥10 keV, 内禀磁矩对辐射的修正是可观的. 通过同步辐射的内禀磁矩修正, 本文讨论了电子束极化度与辐射场偏振度的依赖关系, 并基于此关系提出一种测量电子束极化度的新方法.
关键词:
同步辐射
电子内禀磁矩
同步辐射偏振度
束流极化度 相似文献
924.
逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一, 但现有模型缺乏对初态设定的讨论. 本文对逾渗网格模型进行了简化, 并基于此, 通过电压激励步进的方式, 研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响, 分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义, 验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态; 而不同初态条件下, 忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的"树形"结构, 进而影响着其阻值的分布. 研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理, 为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用.
关键词:
忆阻器
开关元件
逾渗模型
初态分析 相似文献
925.
为探讨膨胀石墨作为3 mm波干扰材料的消光、散射特性及其影响因素, 基于有限长度、有限电导率圆柱状导体的电磁散射, 利用矩量法建立了膨胀石墨的消光、散射、吸收及后向散射截面(雷达散射截面RCS)的计算式. 运用Mathematica编程计算并分析了膨胀石墨长度、半径、电导率、磁导率等因素与膨胀石墨消光、散射、吸收截面及RCS的关系. 结果表明: 当膨胀石墨的长度为1.5 mm、半径为0.05 mm时, 具有较好的消光、散射效果; 适当增大膨胀石墨的电导率、磁导率, 有利于提高其消光、散射能力. 本研究为探索增强膨胀石墨干扰3 mm波效果的技术途径提供了有价值的参考.关键词:膨胀石墨石墨层间化合物消光截面矩量法 相似文献
926.
将薄的磁谐振介质板等效为面磁流, 利用周期性边界条件, 给出了面磁流的指数形式. 通过计算无穷个面磁流在不同空间位置上产生的总电场和总磁场, 推导出了周期性磁谐振人工材料的色散关系和布洛赫阻抗, 进而获取了布洛赫本构参数的理论计算公式. 由于考虑了磁谐振人工材料中的电反谐振对布洛赫介电常数和磁导率的影响, 所以基于仿真实验的布洛赫本构参数的提取值和布洛赫本构参数理论预测值之间的误差很小, 这说明本文推导的布洛赫本构参数的理论计算公式在描述周期性磁谐振材料的电磁特性方面是十分有效的. 这些理论公式将在解释磁谐振现象、设计和优化周期性磁谐振材料等方面提供重要的理论依据.
关键词:
周期性结构
磁谐振
布洛赫本构参数
面磁流 相似文献
927.
在求解扩散光学断层成像中的正向问题时, 目前普遍采用有限元法, 但是随着实际模型规模的增大, 有限元法的计算量问题日益显著, 而边界元法则由于可以降低计算维度使计算量减少而备受关注. 本文以均匀的高散射介质为模型, 研究了将快速多极边界元法用于扩散光学断层成像的正向问题. 快速多极边界元法利用核函数的多极展开, 将常规边界元法中系数矩阵和迭代矢量的乘积项等价为相应四叉树结构的一次递归, 再结合广义最小残量法进行迭代求解. 将计算结果和蒙特卡罗法的模拟结果进行了比较, 表明利用快速多极边界元法的模拟结果和蒙特卡罗法的结果有很好的一致性. 研究结果验证了快速多极边界元法可以用于扩散光学断层成像, 为其大规模和实时成像带来可观的前景.
关键词:
扩散光学断层成像
边界元法
快速多极边界元法 相似文献
928.
提出一种利用周期性抛物线调制信号对光脉冲进行相位调制以获得周期性线性啁啾脉冲的方法, 并对其进行了数值模拟与实验研究. 数值模拟结果表明: 增益饱和效应、群速度色散以及同步误差对啁啾脉冲的时间-光谱特性影响较大; 自相位调制对啁啾脉冲的影响较小. 实验获得了0.52 nm带宽的周期性线性啁啾脉冲, 与模拟结果符合较好. 实验结果同时表明装置中存在较大的偏振模色散, 导致幅频效应较大, 后续的研究中需加入对此的考虑. 模拟及实验研究表明: 直接相位调制是一种新型的可方便地获得周期性线性啁啾脉冲的方法, 其在光谱色散平滑中具有潜在应用.
关键词:
直接相位调制
周期性线性啁啾脉冲
幅频效应 相似文献
929.
Yanfei Wang Weidong Ruan Junhu Zhang Bai Yang Weiqing Xu Bing Zhao John R. Lombardi 《Journal of Raman spectroscopy : JRS》2009,40(8):1072-1077
We have been able to observe the surface‐enhanced Raman scattering (SERS) from 4‐mercaptopyridine (4‐Mpy) molecules adsorbed on ZnO nanocrystals, which display 103 enhancement factors (EFs). An excitation wavelength‐dependent behavior is clearly observed. Another molecule BVPP is also observed to have surface‐enhanced Raman signals. The chemical enhancement is most likely responsible for the observed enhancement, since plasmon resonances are ruled out. The research is important not only for a better understanding of the SERS mechanism, but also for extension of the application of Raman spectroscopy to a variety of adsorption problems on a semiconductor surface. Copyright © 2009 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
930.