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Pico-second photoelectric characteristic in manganite oxide La0.67Ca0.33MnO3 films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Ultrafast photoelectric characteristic has been observed in La0.67Ca0.33MnO3 films on tilted SrTiO3 substrates. A pico-second (ps) open-circuit photovoltage of the perovskite manganese oxide films has been obtained when the films were irradiated by a 1.064μm laser pulse of 25 ps duration. The rise time and full width at half-maximum of the photovoltage pulse are ~300 ps and ~700 ps, respectively. The photovoltaic sensitivity was as large as ~500 mV/mJ. 相似文献
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通过双光子光电子的方法探测了TiO2(011)-(2×1) 和TiO2(110)-(1×1)表面的光催化氧化甲醇的性质. 在吸附了甲醇的二氧化钛(011)和(110)界面处探测到了一个费米能级以上2.5 eV的电子激发态,该电子激发态可作为测试二氧化钛界面还原性的探针使用. 利用此探针在甲醇/TiO2(011)-(2×1)和甲醇/TiO2(110)-(1×1)界面探测到了一个随光照时间的电子激发态信号变化,这一变化可以归于光催化生成的表面羟基对界面还原性的影响. 由此得出的光催化氧化甲醇的速率TiO2(110)-(1×1)比TiO2(011)-(2×1)快了大约11.4倍. 这可能由于表面原子结构排布的原因不同. 本工作不仅介绍了一个利用双光子光电子能谱探测到的甲醇/TiO2界面电子结构的细节特征,还揭示了表面结构对二氧化钛光反应性质的重要影响. 相似文献
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用高温熔融法制备了Tm3+/Ho3+/Yb3+共掺碲酸盐玻璃(TeO2-ZnO-La2O3)样品,测试了玻璃样品的吸收光谱和上转换发光光谱,分析了上转换发光机理.结果发现:在975 nm波长激光二极管(LD)激励下,制备的碲酸盐玻璃样品可以观察到强烈的红光(662 nm)、绿光(546 nm)和蓝光(480 nm)三基色上转换发光,红光对应于Tm3+离子
关键词:
碲酸盐玻璃
上转换发光
白光
3+/Ho3+/Yb3+共掺')" href="#">Tm3+/Ho3+/Yb3+共掺 相似文献
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Yuhua Xue Jun Liu Hao Chen Ruigang Wang Dingqiang Li Jia Qu Liming Dai 《Angewandte Chemie (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2012,124(48):12300-12300
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通过调整Mn的成分,系统地研究了Ni81Fe19/Ni100-xMnx双层膜的磁学性质,特别是交换偏置场(Hex)的变化.当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比在534%到600%之间时,对于150nm的Ni81Fe19,得到了最大的交换偏置场175kA/m,同时由于Mn对Ni81Fe19层的扩散所造成的磁矩的降低小于20%;高角x射线衍射证明Ni100-xMnx的晶格常数随着Mn成分的改变而变化,Mn含量越多,其晶格常数越大;制备态Ni100-xMnx膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应.也研究了交换偏置场随着Ni100-xMnx厚度的变化,第一次得到了当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比为706%时,Ni81Fe19(150nm)/Ni100-xMnx(90nm)双层膜在经过240℃,5h退火后,可以有80kA/m的交换偏置场,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变.
关键词:
Ni81Fe19/Ni100-xMnx
交换偏置场 相似文献
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According to the dimer theory on semiconductor surface and chemical vapor deposition(CVD) growth characteristics of Si1-xGex, two mechanisms of rate decomposition and discrete flow density are proposed. Based on these two mechanisms, the Grove theory and Fick’s first law, a CVD growth kinetics model of Si1-xGex alloy is established. In order to make the model more accurate, two growth control mechanisms of vapor transport and surface reaction are taken into account. The paper also considers the influence of the dimer structure on the growth rate. The results show that the model calculated value is consistent with the experimental values at different temperatures. 相似文献
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